Generate QR code
Open Access
Subscription Access
Планарный магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока
Abstract
The design of magnetotransistor with two contacts to the base was investigated with the aim of improving the sensitivity of planar magnetotransistor. The possibility of realization of MTCCC at geterojunction bipolar transistors technology was considered.
About the Author
Р. Тихонов
Научно-производственный комплекс «Технологический центр» МИЭТ
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Тихонов Р. Д. Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы // Нано- и микросистемная техника 2010. № 6. С. 31-36.
2. Ristic L., Doan M., Paranjape M. 3-D Magnetic Field Sensor Realized as a Lateral Magnetotransistor in CMOS Technology// Sensors and Actuators. 1999. V. 90. P. 770-775.
3. Митникова И. М., Персиянов Т. В., Рекалова Г. И., Штюбнер Г. А. Исследование характеристик кремниевых боковых магнитотранзисторов с двумя измерительными коллекторами // ФТП. 1978. T. 12. № 1. C. 48-50.
4. Ristic L. J., Baltes H. P., Smy T., Filanovsky I. A Lateral Magnetotransistor with a Linear Response to the Magnetic Field// IEEE Transactions of Electron Devices. 1989. V. 36. № 6. Р. 1076-1086.
5. Uk-Song, Seung-Ki Lee, Min-Koo Han. Highly sensitive magnetotransistor with combined phenomena of Hall effect and emitter injection modulation operated in the saturation mode // Sensors and Actuators. 1996. V. A54. P. 641-645.
6. Тихонов Р. Д. Физико-технические характеристики двухколлекторного магнитотранзистора // Прикладная физика. 2008. № 4. C. 147-152.
7. Davies L. W., Wells M. S. Magneto-transistor incorporated in an IC // Proc. IREE, Australia. 1971. V. 6. P. 235-238.
8. Roumenin Ch. S. Optimized parallel-field magnetotransistor sensor // Sensors and Actuators. 1988. V. 14. Р. 177-190.
9. Kassabov J., Smirnov N., Nedev N. A magnetosensitive dual-emitter dual-base transistor // Sensors and Actuarors A: Physical. 1990. V. 24. No. 3. P. 197-202.
10. Smirnov N., Nedev N., Boursas A. Lateral magnetotransistor with enhanced emitter injection modulation // Sensors and Actuators A: Physical. 1992. V. 35. No. 2. Р. 113-119.
11. Красюков А. Ю., Тихонов Р. Д., Козлов А. В. Исследование магнитототранзисторов c новой топологией // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 2. C. 120-133.
12. Tikhonov R. D. Sensor on Bipolar Magnetotransistor with Base in Well // Solid State Electronics. 2005.V. 49/8. P. 1302-1308.
13. Тихонов Р. Д. Трёхколлекторный магнитотранзистор. KG, Saarbrucken, Deutschland: Lambert Academic Publishing GmbH&Co, 2013.
14. Oxland R. K. An HBT Magnetic Sensor with Integrated 3 Dimensional Magnetic Structures. Glasgow, 2009.
15. Przeslawski T., Wolkenberg A., Koniewski J., Reginski K., Jasik A. Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As / InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition // Optica Applicata. 2005. V. XXXV. No. 3. P. 627-634.
16. Васильевский И. С., Галиев Г. Б., Матвеев Ю. А., Климов Е. А., Пожела Ю., Пожела Л., Сужеделис А., Пашкевич Ч., Юцене В. Транспорт электронов в квантовой яме In0.52Al0.48As/ In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As с δ- легированным Si барьером в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. В. 7. C. 928-933.
17. Егоров А. Ю., Гладышев А. Г., Никитина Е. В., Денисов Д. В., Поляков Н. К., Пирогов Е. В., Горбацевич А. А. Двухканальные псевдоморфные НЕМТ-гетероструктуры InGaAs/АlGaAs/GaAs с импульсным легированием // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. В. 7. C. 950-954.
Review
For citations:
. Izmeritel`naya Tekhnika. 2017;(8):55-60. (In Russ.)
Views:
71
Email this article 