сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Планарный магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока
Аннотация
Исследована конструкция магнитотранзистора с двумя контактами к базе с целью повышения чувствительности планарного магнитотранзистора. Рассмотрена возможность реализации магнитотранзистора с компенсацией коллекторного тока по технологии гетеропереходных биполярных транзисторов.
Список литературы
1. Тихонов Р. Д. Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы // Нано- и микросистемная техника 2010. № 6. С. 31-36.
2. Ristic L., Doan M., Paranjape M. 3-D Magnetic Field Sensor Realized as a Lateral Magnetotransistor in CMOS Technology// Sensors and Actuators. 1999. V. 90. P. 770-775.
3. Митникова И. М., Персиянов Т. В., Рекалова Г. И., Штюбнер Г. А. Исследование характеристик кремниевых боковых магнитотранзисторов с двумя измерительными коллекторами // ФТП. 1978. T. 12. № 1. C. 48-50.
4. Ristic L. J., Baltes H. P., Smy T., Filanovsky I. A Lateral Magnetotransistor with a Linear Response to the Magnetic Field// IEEE Transactions of Electron Devices. 1989. V. 36. № 6. Р. 1076-1086.
5. Uk-Song, Seung-Ki Lee, Min-Koo Han. Highly sensitive magnetotransistor with combined phenomena of Hall effect and emitter injection modulation operated in the saturation mode // Sensors and Actuators. 1996. V. A54. P. 641-645.
6. Тихонов Р. Д. Физико-технические характеристики двухколлекторного магнитотранзистора // Прикладная физика. 2008. № 4. C. 147-152.
7. Davies L. W., Wells M. S. Magneto-transistor incorporated in an IC // Proc. IREE, Australia. 1971. V. 6. P. 235-238.
8. Roumenin Ch. S. Optimized parallel-field magnetotransistor sensor // Sensors and Actuators. 1988. V. 14. Р. 177-190.
9. Kassabov J., Smirnov N., Nedev N. A magnetosensitive dual-emitter dual-base transistor // Sensors and Actuarors A: Physical. 1990. V. 24. No. 3. P. 197-202.
10. Smirnov N., Nedev N., Boursas A. Lateral magnetotransistor with enhanced emitter injection modulation // Sensors and Actuators A: Physical. 1992. V. 35. No. 2. Р. 113-119.
11. Красюков А. Ю., Тихонов Р. Д., Козлов А. В. Исследование магнитототранзисторов c новой топологией // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 2. C. 120-133.
12. Tikhonov R. D. Sensor on Bipolar Magnetotransistor with Base in Well // Solid State Electronics. 2005.V. 49/8. P. 1302-1308.
13. Тихонов Р. Д. Трёхколлекторный магнитотранзистор. KG, Saarbrucken, Deutschland: Lambert Academic Publishing GmbH&Co, 2013.
14. Oxland R. K. An HBT Magnetic Sensor with Integrated 3 Dimensional Magnetic Structures. Glasgow, 2009.
15. Przeslawski T., Wolkenberg A., Koniewski J., Reginski K., Jasik A. Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As / InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition // Optica Applicata. 2005. V. XXXV. No. 3. P. 627-634.
16. Васильевский И. С., Галиев Г. Б., Матвеев Ю. А., Климов Е. А., Пожела Ю., Пожела Л., Сужеделис А., Пашкевич Ч., Юцене В. Транспорт электронов в квантовой яме In0.52Al0.48As/ In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As с δ- легированным Si барьером в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. В. 7. C. 928-933.
17. Егоров А. Ю., Гладышев А. Г., Никитина Е. В., Денисов Д. В., Поляков Н. К., Пирогов Е. В., Горбацевич А. А. Двухканальные псевдоморфные НЕМТ-гетероструктуры InGaAs/АlGaAs/GaAs с импульсным легированием // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. В. 7. C. 950-954.
Рецензия
Для цитирования:
Тихонов Р.Д. Планарный магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2017;(8):55-60.
Просмотров:
69
Послать статью по эл. почте 