Проблемы измерений размеров в микроэлектронной технологии
Аннотация
Проанализированы состояние и проблемы измерений размеров в технологии изготовления микроэлектронных изделий с проектными нормами в сотни или десятки нанометров в условиях промышленного производства. Приведены аргументы о недостаточности относительных измерений и необходимости перехода к измерениям в абсолютной шкале размеров, обеспечивающим не только воспроизводимость, но и абсолютную точность результатов, что особенно актуально при освоении изделий с нанометровыми проектными нормами.
Список литературы
1. Макушин М.Мировой рынок микроэлектроники после кризиса: Новые реалии и старые проблемы // Электроника НТБ.2010. Вып.2.
2. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), SIA.
3. NikitinA.V.,YereminD.Y., Sandy M. The importance of accuracy in SEM metrology//Proc. SPIE.2008. V. 6922.N154.
4. Пат. 6.978.215 США.Dec.20, 2005.
5. Пат. 6.969.852 США. Nov. 29,2005.
6. Пат 6.807.314. США. Oct. 19, 2004.
7. Пат. 6.664.532 США. Dec. 16, 2003.
8. Пат.6.573.500 США. Jun. 03,2003.
9. Пат. 6.878.935. США. Apr. 12, 2005.
10. Пат. 6.563.116 США. May13, 2003.
11. Никитин A. В. Использование математического моделирования для измерений наноразмеров в микроэлектронике// Измерительная техника. 2011. № 12. С. 25–29;
12. Nikitin A. V. Use of mathematical modeling for measurements of nanodimensions in microelectronics //Measurement Techniques. 2011. V. 54. N 12. Р. 1346–1352.
Рецензия
Для цитирования:
Никитин А.В. Проблемы измерений размеров в микроэлектронной технологии. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2012;(8):15-20.
Просмотров:
56
Послать статью по эл. почте 