сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Шум типа 1/ Fα в QUOTE QUOTE фоточувствительных элементах на основе сульфида свинца
Аннотация
Проанализированы результаты исследований спектральной плотности мощности шума и просвечивающей электронной микроскопии фоточувствительных структур на основе сульфида свинца с точки зрения выявления возможных механизмов шумообразования .
Об авторах
Б. Н. Мирошников
Москва, Россия
Россия
Россия
И. Н. Мирошникова
Москва, Россия
Россия
Россия
Х. С. Мохамед
Fayuom University Al Fayoum
Россия
Россия
А. И. Попов
Москва, Россия
Россия
Россия
Список литературы
1. Scanlon W. W. Recent advances in optical and electronic properties of PbS, PbSe, PbTe and their alloys // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 8. N. 2. P. 423-428.
2. Хадсон Р. Инфракрасные системы / Пер. с англ., под. ред. Н. В. Васильченко. М.: Мир, 1972.
3. Nair P. K. e. a. Prospects of chemically deposited metal chalcogenide thin films for solar control applications // J. Appl. Phys. 1989. V. 22. Р. 829-832.
4. Zogg H. e. a. Photovoltaic IV-VI on Si infrared sensor arrays for thermal imaging // Opt. Eng. 1995. V. 34. P. 1964-1969.
5. Elabd H., Steckl A. J. Structural and compositional properties of the PbS-Si heterojunctions // J. Electroshem. Soc. 1990. V. 137. P. 2697-2699.
6. Watt A. e. a. Carrier transport in PbS nanocrystal conducting polymer composites // J. Appl. Phys. 2005. V. 87. Р. 1-3.
7. Садовников С. И., Кожевникова Н. С., Гусев А. И. Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 12. С. 1621-1632.
8. Мирошникова И. Н. и др. Спектральные и шумовые характеристики фоторезисторов на основе сульфида свинца // Вестник МЭИ. 2010. № 4. С. 57-62.
9. Соколик С. А., Гуляев А. М., Мирошникова И. Н. Совершенствование установки для исследования низкочастотного шума полупроводниковых приборов и структур // Измерительная техника. 1997. № 1. С. 61-65; Sokolik S. A., Gulyaev A. M., Miroshnikova I. N. Improved setup for studying the low-frequency noise in semiconductor devices and structures // Measurement Techniques. 1997. V. 40. N. 1. P. 85-90.
10. Мирошникова И. Н., Комиссаров А. Л., Мирошников Б. Н. Шум полупроводниковых фоторезисторов на основе PbS: прошлое, настоящее и будущее // Измерительная техника. 2010. № 6. С. 18-21; I. N. Miroshnikova, A. L. Komissarov, B. N. Miroshnikov. Noise of PbS-based semiconductor photoresistors. Measurement Techniques. 2010. V. 53. N. 6. P. 620-625.
11. Китаев Г. А. и др. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевиной из водных растворов // Сб. Кинетика и механизм образования твердой фазы. Свердловск, 1968. С. 113-117.
12. Буткевич В. Г., Глобус Е. Р., Залевская Л. Н. Управление характеристиками химически осажденных пленок сернистого свинца // Прикладная физика. 1999. № 2. С. 52-56
13. Неустроев Л. Н., Осипов В. В. Физические процессы в фоточувствительных поликристаллических пленках халькогенидов свинца // Микроэлектроника. 1988. Т. 17. № 5. С. 399-416.
14. Верцнер В. Н., Кельнер Н. А., Соловьев А. М. Образование окислов в сернистосвинцовых слоях и фотосопротивлениях // Кристаллография. 1957. Т. 2. Вып. 4. С. 497-502.
Рецензия
Для цитирования:
Мирошников Б.Н., Мирошникова И.Н., Мохамед Х.С., Попов А.И. Шум типа 1/ Fα в QUOTE QUOTE фоточувствительных элементах на основе сульфида свинца. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2015;(2):37-41.
Просмотров:
94
Послать статью по эл. почте 