izmertechИзмерительная техникаIzmeritel`naya Tekhnika0368-10252949-5237ФГУП "ВНИИФТРИ"izmertech-979Research ArticleОПТИКО-ФИЗИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯOPTICOPHYSICAL MEASUREMENTSШум типа 1/ Fα в QUOTE QUOTE фоточувствительных элементах на основе сульфида свинцаМирошниковБ. Н.noemail@neicon.ruМирошниковаИ. Н.MiroshnikovaIN@mpei.ruМохамедХ. С.noemail@neicon.ruПоповА. И.noemail@neicon.ruМосква, РоссияRussian FederationFayuom University Al FayoumRussian Federation201507022023023741Copyright © ФГУП "ВНИИФТРИ", 20232023ФГУП "ВНИИФТРИ"ФГУП "ВНИИФТРИ"https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.izmt.ru/jour/article/view/979

Проанализированы результаты исследований спектральной плотности мощности шума и просвечивающей электронной микроскопии фоточувствительных структур на основе сульфида свинца с точки зрения выявления возможных механизмов шумообразования .

The results of studies of noise power spectral density and transmission electron microscopy of PbS based photosensitive structures have been analyzed in view of identifying the possible noise formation mechanizms.

фоточувствительные структурысульфид свинцаспектральная плотность мощности шумапросвечивающая электронная микроскопияphotosensitive structureslead sulphidenoise power spectral densitytransmission electron microscopyReferencesScanlon W. W. Recent advances in optical and electronic properties of PbS, PbSe, PbTe and their alloys // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 8. N. 2. P. 423-428.Scanlon W. W. Recent advances in optical and electronic properties of PbS, PbSe, PbTe and their alloys // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 8. N. 2. P. 423-428.Хадсон Р. Инфракрасные системы / Пер. с англ., под. ред. Н. В. Васильченко. М.: Мир, 1972.Хадсон Р. Инфракрасные системы / Пер. с англ., под. ред. Н. В. Васильченко. М.: Мир, 1972.Nair P. K. e. a. Prospects of chemically deposited metal chalcogenide thin films for solar control applications // J. Appl. Phys. 1989. V. 22. Р. 829-832.Nair P. K. e. a. Prospects of chemically deposited metal chalcogenide thin films for solar control applications // J. Appl. Phys. 1989. V. 22. Р. 829-832.Zogg H. e. a. Photovoltaic IV-VI on Si infrared sensor arrays for thermal imaging // Opt. Eng. 1995. V. 34. P. 1964-1969.Zogg H. e. a. Photovoltaic IV-VI on Si infrared sensor arrays for thermal imaging // Opt. Eng. 1995. V. 34. P. 1964-1969.Elabd H., Steckl A. J. Structural and compositional properties of the PbS-Si heterojunctions // J. Electroshem. Soc. 1990. V. 137. P. 2697-2699.Elabd H., Steckl A. J. Structural and compositional properties of the PbS-Si heterojunctions // J. Electroshem. Soc. 1990. V. 137. P. 2697-2699.Watt A. e. a. Carrier transport in PbS nanocrystal conducting polymer composites // J. Appl. Phys. 2005. V. 87. Р. 1-3.Watt A. e. a. Carrier transport in PbS nanocrystal conducting polymer composites // J. Appl. Phys. 2005. V. 87. Р. 1-3.Садовников С. И., Кожевникова Н. С., Гусев А. И. Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 12. С. 1621-1632.Садовников С. И., Кожевникова Н. С., Гусев А. И. Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03 // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 12. С. 1621-1632.Мирошникова И. Н. и др. Спектральные и шумовые характеристики фоторезисторов на основе сульфида свинца // Вестник МЭИ. 2010. № 4. С. 57-62.Мирошникова И. Н. и др. Спектральные и шумовые характеристики фоторезисторов на основе сульфида свинца // Вестник МЭИ. 2010. № 4. С. 57-62.Соколик С. А., Гуляев А. М., Мирошникова И. Н. Совершенствование установки для исследования низкочастотного шума полупроводниковых приборов и структур // Измерительная техника. 1997. № 1. С. 61-65; Sokolik S. A., Gulyaev A. M., Miroshnikova I. N. Improved setup for studying the low-frequency noise in semiconductor devices and structures // Measurement Techniques. 1997. V. 40. N. 1. P. 85-90.Соколик С. А., Гуляев А. М., Мирошникова И. Н. Совершенствование установки для исследования низкочастотного шума полупроводниковых приборов и структур // Измерительная техника. 1997. № 1. С. 61-65; Sokolik S. A., Gulyaev A. M., Miroshnikova I. N. Improved setup for studying the low-frequency noise in semiconductor devices and structures // Measurement Techniques. 1997. V. 40. N. 1. P. 85-90.Мирошникова И. Н., Комиссаров А. Л., Мирошников Б. Н. Шум полупроводниковых фоторезисторов на основе PbS: прошлое, настоящее и будущее // Измерительная техника. 2010. № 6. С. 18-21; I. N. Miroshnikova, A. L. Komissarov, B. N. Miroshnikov. Noise of PbS-based semiconductor photoresistors. Measurement Techniques. 2010. V. 53. N. 6. P. 620-625.Мирошникова И. Н., Комиссаров А. Л., Мирошников Б. Н. Шум полупроводниковых фоторезисторов на основе PbS: прошлое, настоящее и будущее // Измерительная техника. 2010. № 6. С. 18-21; I. N. Miroshnikova, A. L. Komissarov, B. N. Miroshnikov. Noise of PbS-based semiconductor photoresistors. Measurement Techniques. 2010. V. 53. N. 6. P. 620-625.Китаев Г. А. и др. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевиной из водных растворов // Сб. Кинетика и механизм образования твердой фазы. Свердловск, 1968. С. 113-117.Китаев Г. А. и др. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевиной из водных растворов // Сб. Кинетика и механизм образования твердой фазы. Свердловск, 1968. С. 113-117.Буткевич В. Г., Глобус Е. Р., Залевская Л. Н. Управление характеристиками химически осажденных пленок сернистого свинца // Прикладная физика. 1999. № 2. С. 52-56Буткевич В. Г., Глобус Е. Р., Залевская Л. Н. Управление характеристиками химически осажденных пленок сернистого свинца // Прикладная физика. 1999. № 2. С. 52-56Неустроев Л. Н., Осипов В. В. Физические процессы в фоточувствительных поликристаллических пленках халькогенидов свинца // Микроэлектроника. 1988. Т. 17. № 5. С. 399-416.Неустроев Л. Н., Осипов В. В. Физические процессы в фоточувствительных поликристаллических пленках халькогенидов свинца // Микроэлектроника. 1988. Т. 17. № 5. С. 399-416.Верцнер В. Н., Кельнер Н. А., Соловьев А. М. Образование окислов в сернистосвинцовых слоях и фотосопротивлениях // Кристаллография. 1957. Т. 2. Вып. 4. С. 497-502.Верцнер В. Н., Кельнер Н. А., Соловьев А. М. Образование окислов в сернистосвинцовых слоях и фотосопротивлениях // Кристаллография. 1957. Т. 2. Вып. 4. С. 497-502.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.