сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Интерпретация данных сканирующей туннельной микроскопии
Аннотация
Рассмотрены явления, нарушающие однозначную связь силы туннельного тока с шириной туннельного промежутка при измерениях профиля поверхности в сканирующем туннельном микроскопе. Основное внимание уделяется влиянию структуры поверхностных электронных состояний на туннельный ток.
Об авторах
А. М. Мандель
Московский государственный технологический университет «СТАНКИН»
Россия
Россия
А. И. Лоскутов
Московский государственный технологический университет «СТАНКИН»
Россия
Россия
В. Б. Ошурко
Московский государственный технологический университет «СТАНКИН»
Россия
Россия
Г. И. Соломахо
Московский государственный технологический университет «СТАНКИН»
Россия
Россия
С. В. Веселко
Московский государственный технологический университет «СТАНКИН»
Россия
Россия
Список литературы
1. Bhushan B. Nanotrebology and Nanomechanics. Berlin, Heydelberg: Springer-Verlag, 2008.
2. Миронов В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Н. Новгород: Ин-т Физики Микроструктур РАН, 2004.
3. Simmons J. G. Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film. // J. Appl. Phys. 1963. V.34. P.1793-1803.
4. Bohme T., Simpson C. D., Mullen K., Rabe J. P. Сurrent-voltage characteristics of a homologous series of polycyclic Aromatic Hydrocarbons // Eur. J. Chemistry A. 2007. V. 13. P. 7349-7357.
5. Веселко С. В., Лоскутов А. И., Мандель А. М., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И. Особенности туннельного тока с поверхности полупроводника в окрестности линейного дефекта // Нанотехника. 2014. Т. 37. № 1. С. 67-72.
6. Mandel A. M., Grigoryev S. N., Loskutov A. I., Oshurko V. B., Solomakho G. I. Cold Emission Model of Scanning Tunneling Microscopy. // J. Comput. Theor. Nanosci. 2015. V. 12. N. 11. P. 1-8.
7. Филатов Д. О., Круглов. А. В. Исследование поверхности твердых тел методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ): Лабораторная работа. Н. Новгород: Нижегородского государственного университета, 2001.
8. Tersoff J., Hamann D. Theory of the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 805-813.
9. Мандель А. М., Лоскутов А. И., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И., Федотова Ю. А. Изучение поверхностных электронных состояний в полупроводниках посредством холодной эмиссии в сканирующих туннельных микроскопах // Успехи современной радиоэлектроники. 2013. № 11. С. 23-28.
10. Григорьев С. Н., Мандель А. М., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И. Об определении эффективной фрактальной размерности нанопокрытий с помощью магнитного поля // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 24. С. 74-80.
11. Мандель А. М., Лоскутов А. И., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И. О возможности определения локальной фрактальной размерности поверхности по вольтамперным характеристикам туннельного тока // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. 2013. № 2 (298). С. 56-61.
12. Niimi Y., Matsui T., Kambara H., Tagami K., Tsukada M., Fukuyama H. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of the electronic local density of states of graphite surfaces near monoatomic step edges // Phys. Rev. B. 2006. V.73. P. 085421-085430.
13. Fujita M., Wakabayashi K., Nakada K., Kusakabe K. Peculiar Localized State at Zigzag Graphite Edge // J. Phys. Soc. Jpn. 1996. V. 65. P. 1920-1923.
14. Бычихин С. А., Галямов М. О., Потемкин В. В., Степанов А. В., Яминский И. В. Сканирующий туннельный микроскоп - измерительное средство нанотехники // Измерительная техника. 1998. № 4. C. 58-61.
15. Кузин А. Ю., Тодуа П. А., Панов В. И., Орешкин А. И. Особенности применения упорядоченных пленок молекул фуллеренов для калибровки сканирующих туннельных микроскопов при измерении геометрических параметров объектов. // Измерительная техника. 2013. № 2. C. 10-15.
Рецензия
Для цитирования:
Мандель А.М., Лоскутов А.И., Ошурко В.Б., Соломахо Г.И., Веселко С.В. Интерпретация данных сканирующей туннельной микроскопии. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2015;(7):10-14.
Просмотров:
88
Послать статью по эл. почте 