Generate QR code
Open Access
Subscription Access
Определение концентрации органических загрязнений на поверхности диоксида кремния методом трибометрии
Abstract
The mechanisms of point tribometric interaction silica substrates in estimating of the surface purity are investigated. It is shown that the lower the movement speed of the substrate probe, the higher the sensitivity of the tribometric system to changes concentration of surface electronic states. Measuring acceleration of probe substrate in a time interval 0≤ t ≤0,012 s after initiation of movement allows to reduce measurement error of surface grade up to 11 %.
About the Authors
Н. Ивлиев
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва; Институт систем обработки изображений РАН - филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН
Russian Federation
Russian Federation
В. Колпаков
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва
Russian Federation
Russian Federation
С. Кричевский
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва
Russian Federation
Russian Federation
Н. Казанский
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва; Институт систем обработки изображений РАН - филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Zhang X., Chae J. A wireless and passive wafer cleanliness monitoring unit via electromagneticcoupling for semicondutcor/MEMS manufacturing facilities // Sensors and Actuators A: Physical. 2011. V. 171. No. 2. P 414-420.
2. Kim K. S., Kim J. Y., Kang H. B., Lee B. Y., Park S. M. Effect of organic contaminants during metal oxide semiconductor processes // J. Electrochem. Soc. 2008. V. 155. No. 6. P. H426-H431.
3. Tsai C.L., Roman P, Wu C.T., Pantano C., Berry J., Kamieniecki E., Ruzyllo J. Control of organic contamination of silicon surfaces using white light illumination in ambient air // J. Electrochem. Soc. 2003. V. 150. No. 1. P. G39-G44.
4. Rochat N., Olivier M., Chabli A., Conne F., Lefeuvre G., Boll-Burdet C. Multiple internal reflection infrared spectroscopy using two-prism coupling geometry: A convenient way for quantitative study of organic contamination on silicon wafers // Applied Physics Letter. 2000. V. 77. No. 14. P. 2249-2251.
5. Казанский Н. Л., Колпаков В. А. Формирование оптического микрорельефа во внеэлектродной плазме высоковольтного газового разряда: монография. М.: Радио и связь, 2009.
6. Колпаков В. А., Ивлиев Н. А. Атомномно-молекулярная модель граничного трения в микротрибоконтактах поверхностей полупроводниковых и диэлектрических материалов // Журнал технической физики. 2015. Т. 85. № 6. С. 137-142.
7. Braun O. M., Naumovets A. G. Nanotribology: Microscopic mechanisms of friction // Surface Science Reports. 2006. V. 60. P. 79-158.
8. Крагельский И. В., Добычин М. Н., Комбалов В. С. Основы расчётов на трение и износ. М.: Машиностроение, 1997.
9. Дедков Г. В. Адгезионный механизм трения в нанотрибоконтактах // Письма в журнал технической физики. 1998. Т. 24. № 19. С. 44-50.
10. Колпаков В. А., Ивлиев Н. А. Измерение чистоты поверхности подложек методом трибометрии // Приборы и техника эксперимента. 2014. № 5. С. 129-134.
11. Пат. 2515117 РФ. Способ измерения чистоты поверхности подложек / Н. Л. Казанский, В. А. Колпаков, Н. А. Ивлиев // Изобретения. Полезные модели. 2014. № 13.
12. Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Зотеев А. В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Издательство МГУ, 1999.
13. Habuka H., Naito T., Kawahara N. Molecular interaction radii and rate constants for clarifying organic compound physisorption on silicon surface // J. Electrochem. Soc. 2010. V. 157. No. 11. P. H1014-H1018.
14. Kazanskiy N. L., Kolpakov V. A., Kolpakov A. I., Krichevsky S. V., Ivliev N. A., Desjatov M. V. Parameter optimization of a tribometric device for rapid assessment of substrate surface cleanliness // Optical Memory and Neural Networks. 2008. V.17. No. 2. P. 167-172.
15. Ивлиев Н. А., Колпаков В. А., Кричевский С. В. Определение концентрации органических загрязнений на поверхности диоксида кремния методами атомно-силовой микроскопии // Компьютерная оптика. 2016. Т. 40. № 6. С. 837-843.
Review
For citations:
, , , . Izmeritel`naya Tekhnika. 2017;(9):12-15. (In Russ.)
Views:
75
Email this article 