сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Определение концентрации органических загрязнений на поверхности диоксида кремния методом трибометрии
Аннотация
Исследованы особенности механизма точечного трибометрического взаимодействия подложек из диоксида кремния при оценке чистоты их поверхности. Показано, что чем меньше скорость движения подложки-зонда, тем выше восприимчивость трибометрической системы к изменению концентрации поверхностных электронных состояний. Предложено измерять ускорение движения подложки-зонда после начала движения данного зонда во временном интервале 0≤ t ≤0,012 с, что позволило снизить погрешность измерения степени чистоты поверхности до 11 %.
Об авторах
Н. А. Ивлиев
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва; Институт систем обработки изображений РАН - филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН
Россия
Россия
В. А. Колпаков
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва
Россия
Россия
С. В. Кричевский
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва
Россия
Россия
Н. Л. Казанский
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва; Институт систем обработки изображений РАН - филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН
Россия
Россия
Список литературы
1. Zhang X., Chae J. A wireless and passive wafer cleanliness monitoring unit via electromagneticcoupling for semicondutcor/MEMS manufacturing facilities // Sensors and Actuators A: Physical. 2011. V. 171. No. 2. P 414-420.
2. Kim K. S., Kim J. Y., Kang H. B., Lee B. Y., Park S. M. Effect of organic contaminants during metal oxide semiconductor processes // J. Electrochem. Soc. 2008. V. 155. No. 6. P. H426-H431.
3. Tsai C.L., Roman P, Wu C.T., Pantano C., Berry J., Kamieniecki E., Ruzyllo J. Control of organic contamination of silicon surfaces using white light illumination in ambient air // J. Electrochem. Soc. 2003. V. 150. No. 1. P. G39-G44.
4. Rochat N., Olivier M., Chabli A., Conne F., Lefeuvre G., Boll-Burdet C. Multiple internal reflection infrared spectroscopy using two-prism coupling geometry: A convenient way for quantitative study of organic contamination on silicon wafers // Applied Physics Letter. 2000. V. 77. No. 14. P. 2249-2251.
5. Казанский Н. Л., Колпаков В. А. Формирование оптического микрорельефа во внеэлектродной плазме высоковольтного газового разряда: монография. М.: Радио и связь, 2009.
6. Колпаков В. А., Ивлиев Н. А. Атомномно-молекулярная модель граничного трения в микротрибоконтактах поверхностей полупроводниковых и диэлектрических материалов // Журнал технической физики. 2015. Т. 85. № 6. С. 137-142.
7. Braun O. M., Naumovets A. G. Nanotribology: Microscopic mechanisms of friction // Surface Science Reports. 2006. V. 60. P. 79-158.
8. Крагельский И. В., Добычин М. Н., Комбалов В. С. Основы расчётов на трение и износ. М.: Машиностроение, 1997.
9. Дедков Г. В. Адгезионный механизм трения в нанотрибоконтактах // Письма в журнал технической физики. 1998. Т. 24. № 19. С. 44-50.
10. Колпаков В. А., Ивлиев Н. А. Измерение чистоты поверхности подложек методом трибометрии // Приборы и техника эксперимента. 2014. № 5. С. 129-134.
11. Пат. 2515117 РФ. Способ измерения чистоты поверхности подложек / Н. Л. Казанский, В. А. Колпаков, Н. А. Ивлиев // Изобретения. Полезные модели. 2014. № 13.
12. Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Зотеев А. В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Издательство МГУ, 1999.
13. Habuka H., Naito T., Kawahara N. Molecular interaction radii and rate constants for clarifying organic compound physisorption on silicon surface // J. Electrochem. Soc. 2010. V. 157. No. 11. P. H1014-H1018.
14. Kazanskiy N. L., Kolpakov V. A., Kolpakov A. I., Krichevsky S. V., Ivliev N. A., Desjatov M. V. Parameter optimization of a tribometric device for rapid assessment of substrate surface cleanliness // Optical Memory and Neural Networks. 2008. V.17. No. 2. P. 167-172.
15. Ивлиев Н. А., Колпаков В. А., Кричевский С. В. Определение концентрации органических загрязнений на поверхности диоксида кремния методами атомно-силовой микроскопии // Компьютерная оптика. 2016. Т. 40. № 6. С. 837-843.
Рецензия
Для цитирования:
Ивлиев Н.А., Колпаков В.А., Кричевский С.В., Казанский Н.Л. Определение концентрации органических загрязнений на поверхности диоксида кремния методом трибометрии. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2017;(9):12-15.
Просмотров:
76
Послать статью по эл. почте 