|сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Программно-аппаратный комплекс для электрофизического контроля КМОП-технологии на тестовых структурах
Аннотация
Разработан и реализован аппаратно-методический комплекс электрофизических методов для контроля технологии субмикрометровых КМОП интегральных схем. Создана программируемая коммутация элементов комплекса, позволяющая использовать взаимодополняющие измерительные методики для получения информации, которая необходима для коррекции технологического процесса. В состав комплекса входят программы для управления измерением и расчёта необходимых характеристик.
Об авторах
К. Г. Поповских
Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Россия
Россия
В. С. Солдатов
Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Россия
Россия
М. В. Орешков
Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований РАН
Россия
Россия
Список литературы
1. McWhorter P. J., Winokur P. S. Simple technique for separating the effects of interface traps and trapped-oxide charge in metal-oxide-semiconductor transistors // Applied Physics Letters. 1986. V. 48. No. 2. P. 133-135.
2. Groeseneken G., Maes H. E., Beltrán N., de Keersmaecker R. F. A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors // IEEE Trans. ED. 1984. V. 31. P. 42-53.
3. Starkov I., Enichlmair S., Tyaginov S., Grasser T. Charge-Pumping Extraction Techniques for Hot-Carrier Induced Interface and Oxide Trap Spatial Distributions in MOSFETs // IPFA, 19th IEEE International Symposium. 2012. P. 1-6.
4. Chen C., Ma T.-P. Direct Lateral Profiling of Hot-Carrier-Induced Oxide Charge and Interface Traps in Thin Gate MOSFET's // IEEE Trans. ED. 1998. V. 45. No 2. P. 512-520.
5. Поповских К. Г., Зенова Е. В., Тагаченков А. М., Солдатов В. С. Сравнительное изучение подзатворных систем n- и р-канальных МДП-транзисторов КМДП СБИС электрофизическими методами // Флуктуационные и деградационные процессы в п/п приборах: Материалы докл. науч.-метод. семинара М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, НИУ «МЭИ», 2015. С. 123-130.
6. Поповских К. Г., Орешков М. В., Солдатов В. С. Диагностика заряжения подзатворной системы МДП-транзисторов КМОП СБИС при различных видах стресса методом зарядовой накачки // Флуктуационные и деградационные процессы в п/п приборах: Материалы докл. науч.-метод. семинара М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, НИУ «МЭИ», 2015. С. 130-138.
7. Lee R.G.-H., Su J.-S., Chung S.S. A New Method for Characterizing the Spatial Distributions of Interface States and Oxide-Trapped Charges in LDD n-MOSFET's // IEEE Trans. ED. 1996. V. 43. No 1. P. 81-89.
8. Hori T. Gate Dielectrics and MOS ULSIs. Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 1997.
9. Chang T. Y., Chen J., Ko P.K., Hu C. The impact of gate-induced drain leakage current on MOSFET scaling // IEEE IEDM Digest. 1987. P. 718-721.
10. Hori T. Drain-structure design for reduced band-to-band and band-to-defect tunneling leakage // IEEE Symp. VLSI Technology. Digest. 1990. P. 69-70.
11. Degraeve R. , Groeseneken G., Bellens R. , Ogier J. L., Depas M. , Roussel P. J., Maes H. E. New Insights in the Relation Between Electron Trap Generation and the Statistical Properties of Oxide Breakdown // IEEE Trans. ED. 1998. V. 45. No. 4. P. 904-911.
Рецензия
Для цитирования:
Поповских К.Г., Солдатов В.С., Орешков М.В. Программно-аппаратный комплекс для электрофизического контроля КМОП-технологии на тестовых структурах. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2016;(9):3-7.
Просмотров:
71
Послать статью по эл. почте 