

Оценка погрешностей определения параметров линейных тепловых цепей полупроводниковых приборов по частотным зависимостям теплового импеданса
Аннотация
Об авторах
В. А. СергеевРоссия
И. В. Фролов
Россия
Список литературы
1. Закгейм А. Л., Курышев Г. Л., Мизеров М. Н., Половинкин В. Г., Рожанский И. В., Черняков А. Е. Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaNфлип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 3. С. 390-396.
2. Shan O., Dai Q., Chhajed S. Analysis of thermal properties of GaInN light-emitting diodes and laser diodes // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. P. 084504-1-084504-8.
3. Minseok Ha., Graham S. Development of a thermal resistance model for chip-on-board packaging of high power LED arrays // Microelectronics Reliability. 2012. V. 52. P. 836-844.
4. ГОСТ 19656.15-84. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления «переход-корпус» и импульсного теплового сопротивления.
5. Пат. 2392631 РФ. МПК G01R31/26. Устройство для измерения теплового сопротивления «переход-корпус» полупроводникового прибора / Мальцев И. А., Мальцев А. А. // Изобретения. Полезные модели. 2010. № 17.
6. Горлов М. И., Сергеев В. А. Современные диагностические методы контроля качества и надёжности полупроводниковых изделий: монография. Ульяновск: УлГТУ, 2014.
7. MilStd883C Method 1012.1 Thermal Characteristics of Microelectronic Devices.
8. EIA/JEDEC JESD51-1 standard. IC Thermal Measurement Method - Electrical Test Method (Single Semiconductor Device) [Электрон. ресурс]. http://www.jedec.org/download/ search/jesd51-1.pdf (дата обращения: 25.05.2015)
9. Poppe А., Székely V. Dynamic Temperature measurements: tools providing a look into package and mount structures // Electronics Cooling. 2002. № 8. Р. 10-19.
10. Вяхирев В. Б. Измерение тепловых характеристик полупроводниковых электронных компонентов // Технологии в электронной промышленности. 2013. № 3. С. 90-92.
11. Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Фролов И. В. Измерение теплового импеданса мощных светодиодов с применением широтно-импульсной модуляции мощности // Известия вузов. Электроника. 2012. № 3. С. 64-68.
12. Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Конторович М. Л. Автоматизированный измеритель теплового импеданса полупроводниковых диодов с широтно-импульсной модуляцией греющей мощности // Промышленные АСУ и контроллеры. 2010. № 3. С. 47-49.
13. Сергеев В. А., Фролов И. В. Алгоритм идентификации параметров тепловых схем полупроводниковых приборов по частотным зависимостям теплового импеданса // Автоматизация процессов управления. 2014. № 4. С. 53-57.
14. Бобылев Д. А., Боровских Л. П. Подход к построению универсальных преобразователей параметров многоэлементных двухполюсников // Измерительная техника. 2014. № 12. С. 47-51.
15. Кнеллер В. Ю., Боровских Л. П. Определение параметров многоэлементных двухполюсников. М.: Энергоатомиздат, 1986.
16. Сергеев В. А., Фролов И. В. Алгоритм определения набора оптимальных частот тестового сигнала при измерении параметров многоэлементных двухполюсников // Автоматизация процессов управления. 2014. № 1. С. 31-37.
17. Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ.; под ред. Юновича А. Э. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008.
Рецензия
Для цитирования:
Сергеев В.А., Фролов И.В. Оценка погрешностей определения параметров линейных тепловых цепей полупроводниковых приборов по частотным зависимостям теплового импеданса. Измерительная техника. 2016;(8):41-45.