Методическая погрешность измерений нелинейной емкости

The dependences of methodical errorof nonlinearcapacitance measurement fromthe testharmonic signal level at usingthe different typesof AC/DC converters were obtained. In is shown onan example ofsemiconductordiodethat the leastmethodical errorat measurement ofthe diffusioncapacityis achieved forhalf-period averagevalue converters and the errorof the barrier capacitancemeasurement is equalfor all types ofconverters.

нелинейная емкость, преобразователь напряжения, полупроводниковый диод, диффузионная и барьерная емкости, nonlinear capacity, measurement error, voltage converter, semiconductor diode, barrier capacity, diffusion capacity

1. Маняхин Ф. И. Измерение распределения и температурной зависимости эффективной концентрации заряженных центров в базовой области диодных структур // Измерительная техника. 1996. №11. С. 49-52;Manyakhin F. I. Measurement of the distribution and temperature dependence of the effective charge-center density in the base region of diode structures // Measurement Techniques. 1996. V. 39. N. 11. P. 1147-1152.

2. Зубков В. И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 3. С. 331-337.

3. Концевой Ю. А, Кудин В. Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973.

4. Берман Л. С. Нелинейная полупроводниковая емкость. М.: Физматгиз, 1963.

5. ГОСТ 18986.4-73. Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости.

6. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений / Под ред. Н. Н. Горюнова и Ю. Р. Носова. М.: Сов.радио, 1968.

7. Мирский Г. Я. Электронные измерения. М.: Радио и связь, 1986.

8. Сергеев А. Г. Метрология: Учеб.пособие. М.: Логос, 2005.