Исследование влияния схемы включения на характеристики трехколлекторного магнитотранзистора
Аннотация
Экспериментально исследованы чувствительность и начальный разбаланс напряжения между коллекторами двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора npn -типа с базой, сформированной в кармане, который служит третьим коллектором. Показано, что магниточувствительность по напряжению достигает 11 В/Тл в схеме с общим смещением базы и кармана, при этом можно получить начальный разбаланс напряжения между коллекторами менее 1 мВ.
Об авторах
В. В. Амеличев
Научно-производственный комплекс «Технологический центр» МИЭТ
Россия
Россия
Р. Д. Тихонов
Научно-производственный комплекс «Технологический центр» МИЭТ
Россия
Россия
А. А. Черемисинов
Научно-производственный комплекс «Технологический центр» МИЭТ
Россия
Россия
Список литературы
1. Ristic L. J. e. a. Suppressed sidewall injection magnetotransistor with focused emitter injection and carrier double deflection// IEEE Electron Devices Lett. 1987. V.EDL-8. N 9.P. 395 – 397.
2. Metz M. Offset in CMOS Magnetotransistors, Analysis and Reduction: Diss. Zurich, 1999.
3. Uk-Song, Seung-Ki Lee, Min-Koo Han. Highly sensitive magnetotransistor with combined phenomena of Hall effect and emitter injection modulation operated in the saturation mode// Sensors and Actuators. 1996. V. A54. P. 641 – 645.
4. Амеличев В. В. и др. Моделирование биполярного двухколлекторного магнитотранзистора и определение режима термокомпенсации изменения чувствительности // Датчики и системы. 1999. № 6. С. 38 – 42.
5. Tikhonov R. D. Sensor on bipolar magnetotransistor with base in well // Solid State Electronics. 2005.V. 49/8. P. 1302 – 1308.
6. Козлов А. В. и др. Исследование механизмов преобразования и относительной магниточувствительности трехколлекторного биполярного магниточувствительного транзистора //Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 3. С. 219 – 225.
7. Тихонов Р. Д., Козлов А. В., Поломошнов С. А. Разбаланс потенциалов двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора // Измерительная техника. 2008.№ 8. C. 57–61.Tikhonov R. D., Kozlov A. V., Polomoshnov S. A. Imbalance of the potentials of a dual-collector lateral bipolar magnetotransistor //Measurement Techniques. 2008. V. 51. N 8. P. 896 – 902.
8. Викулин И. М., Викулина И. Ф., Стафеев В. И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1983.
9. Popovic R. S., Baltes H. P., Rudolf F. An integrated silicon magnetic field sensor using the magnetodiod principle // IEEE Trans. Electron Devices. 1984. V.ED-31.P. 286 – 291.
10. Тихонов Р. Д. Магнитоконцентрационный эффект на рn-переходе база–подложка биполярного магнитотранзистора // Измерительная техника. 2009. № 12. C. 41 – 45; Tikhonov R. D. The magnetoconcentration effect in the base–substrate pn-junction of a bipolar magnetotransistor //Measurement Techniques. 2009. V. 52. N 12. P. 1344 – 1350.
Рецензия
Для цитирования:
Амеличев В.В., Тихонов Р.Д., Черемисинов А.А. Исследование влияния схемы включения на характеристики трехколлекторного магнитотранзистора. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2013;(3):40-43.
Просмотров:
93
Послать статью по эл. почте 