|Generate QR code
Open Access
Subscription Access
Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации
Abstract
In this paper we analyze details of bipolar transistors and MOSFETs electrical characteristics measurement in the presence of neutron, electron and gamma irradiation. An automated measurement subsystem is developed with its core being a measurement kernel comprising a set of measurement instrumentation as well as methods of measurement and data processing for irradiated transistors of various types. Provided are several examples of the subsystem application to BJTs and MOSFETs radiation hardness investigation as well as extraction of their SPICE model parameters for circuit design.
About the Authors
К. Петросянц
Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН
Russian Federation
Russian Federation
Л. Самбурский
Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН
Russian Federation
Russian Federation
И. Харитонов
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Московский институт электроники и математики)
Russian Federation
Russian Federation
М. Кожухов
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Московский институт электроники и математики)
Russian Federation
Russian Federation
References
1. ГОСТ 20398.7-74. Транзисторы полевые. Методы измерения электрических параметров.
2. ГОСТ 18604.24-81. Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора.
3. Афонский А. А., Дьяконов В. П. Электронные измерения в нанотехнологиях и микроэлектронике. М: ДМК Пресс, 2011.
4. Денисенко В. В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро и наноэлектронике. М: Физматлит, 2010.
5. Петросянц К. О., Харитонов И. А. Модели МДП и биполярных транзисторов для схемотехнических расчётов БИС с учётом радиационного воздействия // Микроэлектроника, 1994. Т. 23. Вып. 1. С. 21-34.
6. Petrosyants K., Kharitonov I., Sambursky L., Bogatyrev V., Povarnitcyna Z., Drozdenko E. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel // Proc. of IEEE EWDTS Symp. 2012. P. 60-65.
7. Бобровский Д. В., Давыдов Г. Г., Петров А. Г., Яненко А. В., Ахметов А. О., Боруздина А. Б., Калашников О. А., Кессаринский Л.Н., Некрасов П. В., Никифоров А. Ю. и Уланова А. В. Реализация базовых методов радиационных испытаний ЭКБ на основе аппаратно-программного комплекса аппаратуры National Instruments. Известия вузов. Электроника. 2012. № 5 (97). C. 91-104.
8. Петросянц К. О., Гоманилова Н.Б., Харитонов И. А. Самбурский Л. М., Богатырев В. Н., Поварницына З. М., Щёкин А. А. Проектирование радиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОП технологии // Сб. научных трудов «Электроника, микро- и наноэлектроника» / Под ред. В. Я. Стенина. М.: МИФИ, 2013. С. 296-302.
9. Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects // Advanced Materials Research. 2013. V. 718-720. P. 750-755.
10. Li M., Li Y. F., Wu Y. J., Cai S., Zhu N. Y., Rezzak N., Schrimpf R. D., Fleetwood D. M., Wang J. Q., Cheng X. X., Wang Y., Wang D. L., Hao Y. Including radiation effects and dependencies on process-related variability in advanced foundry SPICE models using a new physical model and parameter extraction approach // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2011. V. 58. P. 2876-2882.
11. Petrosyants, K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Kozhukhov M. V. IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors // Advanced Materials Research. 2015. V. 1083. P. 185-189.
12. Прокопенко Н. Н., Будяков А. С., Савченко Е. М. Операционные усилители с обобщенной токовой обратной связью // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем. 2008. Сб. научных трудов / Под ред. А. Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН. 2008. С. 330-333.
13. IC-CAP 2006. User’s Guide. Agilent 85190A. [Электрон. ресурс] http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/iccap2008/pdf/icug.pdf] (дата обращения 20.09.2015).
14. XI10 Datasheet. [Электрон. версия] http://www.xfab.com/fileadmin/X-FAB/ Download_Center/ Technology/SOI/XI10_Info_sheet.pdf] (дата обращени 01.09.2015).
15. Petrosyants K. О., Vologdin E. N., Smirnov D. S., Torgovnikov R. A., Kozhukhov M. V. Si BJT and SiGe HBT Performance Modelling after Neutron Radiation Exposure // Proc. of IEEE EWDTS Symp. 2011. P. 267-270.
16. Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л.М., Макеев А. С. Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик // Стойкость 2015: науч.-технич. cб. ФГУП «НИИП», C. 109-110.
17. Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л.М. Орехов Е. В., Черный А. И., Поварницына З. Н., Богатырев В. Н., Прокофьев Г. В. Исследование характеристик элементной базы аналоговых КНИ КМОП схем, изготовленных по технологии XFAB, с учетом суммарной поглощенной дозы // Электроника, микро- и наноэлектроника: cб. науч. тр. / Под ред. В. Я. Стенина. М., МИФИ. 2009. C. 57-66.
Review
For citations:
, , , . Izmeritel`naya Tekhnika. 2016;(10):55-60. (In Russ.)
Views:
103
Email this article 