Открытый доступ
Только для подписчиков
Измерительный комплекс для диагностики качества светоизлучающих гетероструктур по фотоэлектрическому и оптическому отклику при локальном фотовозбуждении
https://doi.org/10.32446/0368-1025it-2018-9-49-53
Аннотация
Представлен автоматизированный измерительный комплекс для диагностики латеральной однородности полупроводниковых гетероструктур путём измерения и анализа фотоэлектрического и оптического откликов при их локальном фотовозбуждении в статическом и динамическом режимах. Электронно-механическая и оптическая системы позиционирования обеспечивают засветку локальной области исследуемой структуры с минимальным диаметром пятна 10 мкм. Показано, что разработанный измерительный комплекс можно использовать для диагностики качества светоизлучающих гетероструктур, транзисторов, солнечных элементов, фотодиодов.
Ключевые слова
светоизлучающие гетероструктуры,
диагностика качества,
автоматизированная установка,
латеральная неоднородность,
локальное фотовозбуждение,
фотоэлектрический отклик,
light-emitting heterostructures,
quality diagnostics,
the automated installation,
lateral heterogeneity,
local photoexcitement,
photo-electric response
Об авторах
В. А. Сергеев
Ульяновск, Россия
Россия
Россия
С. В. Васин
Ульяновск, Россия
Россия
Россия
И. В. Фролов
Ульяновск, Россия
Россия
Россия
О. А. Радаев
Ульяновск, Россия
Россия
Россия
Список литературы
1. Авакянц Л. П., Бадгутдинов М. Л., Боков П. Ю. и др. Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 9. С. 1078-1084.
2. Li Q., Wang S., Gong Z.-N. et al. Time-resolved photoluminescence studies of InGaN/GaN multi-quantum-wells blue and green light-emitting diodes at room temperature // Optik-International J. Light and Electron Optics. 2016. V. 127. No. 4. P. 1809-1813.
3. Liu L., Wang W., Huang J.-L., Hu X., Chen P., Huang J.-J., Feng Z. C. Time-Resolved and Temperature-Varied Photoluminescence Studies of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures // 12th Intern. Conf. Solid State Lighting and 4th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting. Proc. of SPIE. 2012. V. 8484. P. 848412.
4. Барановский М. В., Глинский Г. Ф. Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 10. С. 22-28.
5. Карпович И. А. Фотоэлектрическая спектроскопия квантоворазмерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. 2010. № 5(2). С. 233-242.
6. Павлова Е. Д., Горшков А. П., Бобров А. И., Малехонова Н. В., Звонков Б. Н. Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и delta-слоем Mn // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып. 12. С. 1617-1620.
7. Сергеев В. А., Васин С. В., Радаев О. А., Фролов И. В. Автоматизированная установка диагностики качества светоизлучающих гетероструктур методом динамического фотоэлектрического отклика // Автоматизация процессов управления. 2017. № 2. С. 92-97.
8. Лушников Д. Е., Черторийский А. А. Измерение деформации упругого элемента с использованием фотоприёмной линейки // INTERMATIC-2016: Материалы междунар. науч.-техн. конф. Москва, 21-25 ноября 2016 г. С. 179-181.
9. Sergeev V. A., Vasin S. V. Radaev O. A., Frolov I. V. Measuring complex for registering photoelectric response of LED heterostructures under local photoexcitation // Proc. of the Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies. MWENT-2018. P. 1-4. DOI: 10.1109/MWENT.2018.8337210.
10. Черторийский А. А., Веснин В. Л., Беринцев А. В. Особенности корреляционной обработки сигналов датчиков на основе волоконно-оптических брэгговских решёток // Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник научных трудов. Ульяновск: УлГТУ, 2011. С. 193-198.
Рецензия
Для цитирования:
Сергеев В.А., Васин С.В., Фролов И.В., Радаев О.А. Измерительный комплекс для диагностики качества светоизлучающих гетероструктур по фотоэлектрическому и оптическому отклику при локальном фотовозбуждении. Измерительная техника. 2018;(9):49-53. https://doi.org/10.32446/0368-1025it-2018-9-49-53
Просмотров: 19
Послать статью по эл. почте 