Generate QR code
Open Access
Subscription Access
Моделирование биполярного транзистора 2Т937 на основе экспериментальных статических и частотных характеристик
https://doi.org/10.32446/0368-1025it-2018-8-65-68
Abstract
The technique of modeling of the bipolar transistor 2T937 is presented. Results of calculations of static and frequency characteristics and assessment of an error of modeling of the bipolar transistor 2T937 are given. Problems of optimization of parameters of the model of Hummel-Poon taken as a basis when modeling the transistor are solved. It is shown that the created model can be used in computer-aided engineering systems as element base when developing transistor devices
References
1. Хвалин А. Л., Страхова Л. Л., Воробьёв А. В. Оптимизация параметров модели биполярного транзистора по его экспериментальным характеристикам // Радиотехника. 2015. № 7. С. 35-40.
2. Хвалин А. Л. Анализ и синтез интегральных магнитоуправляемых радиотехнических устройств на ферритовых резонаторах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. докт. техн. наук. Самара, Поволжская государственная академия телекоммуникаций и информатики, 2014.
3. Самолданов В. Н., Игнатьев А. А., Ляшенко А. В., Солопов А. А., Хвалин А. Л., Маринин А. В., Коваленко М. Л. Компьютерное моделирование ферритовых резонаторов во внутренних цепях биполярного транзистора в усилительном режиме работы // Гетеромагнитная микроэлектроника. 2004. № 1. С. 110-118.
4. Хвалин А. Л. Векторный магнитометр слабых магнитных полей // Измерительная техника. 2014. № 10. С. 45-48.
5. Хвалин А. Л., Страхова Л. Л. Компьютерное моделирование статических характеристик биполярного транзистора 2Т937 // Гетеромагнитная микроэлектроника. 2016. № 21. С. 43-50.
6. Петухов В. М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги. Т. 4. Справочник. М.: КУбК-а, 1997.
7. Кашкаров А. П. Популярный справочник радиолюбителя. М.: ИП «РадиоСофт», 2008.
8. Бичурин М. И., Букашев Ф. И., Петров В. М. SPICE- модели биполярных транзисторов со статической индукцией // Современные наукоёмкие технологии. 2005. № 3. С. 50-51.
9. Денисенко В. В. Моделирование разброса параметров транзисторов в КМОП СБИС // Компоненты и технологии. 2003. № 8. C. 40-45.
10. Дворников О. В., Шульгевич Ю. Ф. Методы идентификации параметров моделей интегральных транзисторов. Ч. 1. Расчёт Spice-параметров биполярных транзисторов с использованием конструктивно технологических и электрофизических параметров // Современная электроника. 2009. № 5. С. 48-53.
11. Соболь И. М. Выбор оптимальных параметров в задачах со многими критериями. М.: Дрофа, 2006.
12. Черных С. В. Многопараметрическая оптимизация многомодальных функций // Вестник Российского государственного университета им. И. Канта. 2010. Вып. 10. С. 94-103.
13. Карякин В. В. Информационные технологии моделирования биполярных транзисторов в САПР «Telecom-MWO» // Инфокоммуникационные технологии. 2008. № 3. Т. 6. С. 86-93.
14. Аронов В. Л., Евстигнеев А. А. Моделирование мощного биполярного транзистора в усилительном режиме с учётом квазинасыщения // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2005. Вып. 1-2. С. 24--33.
15. Зырин С. С. Применение базовой модели биполярного транзистора для расчета СВЧ-автогенераторов и усилителей // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1989. Вып. 3. С. 33-37.
16. Горбачёв Д. М., Мазеев Е. В., Фурсаев М. А. Решение задач проектирования СВЧ-генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе // Радиотехника. 2011. № 1. С.42-46.
17. Головков А. А, Пивоваров И. Ю, Кузнецов И. Р. Компьютерное моделирование и проектирование радиоэлектронных средств. Учебник для вузов. Стандарт третьего поколения. СПб.: Питер, 2015.
18. Малахов Р. К., Добычина Е. М. Мощные транзисторы для бортовых радиолокационных систем // Научный Вестник МГТУ гражданской авиации. 2012. № 12 (186). С. 184-190
Review
For citations:
Article E. . Izmeritel`naya Tekhnika. 2018;(8):65-68. (In Russ.) https://doi.org/10.32446/0368-1025it-2018-8-65-68
Views:
153
Email this article 