сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Моделирование биполярного транзистора 2Т937 на основе экспериментальных статических и частотных характеристик
https://doi.org/10.32446/0368-1025it-2018-8-65-68
Аннотация
Представлена методика моделирования биполярного транзистора 2Т937. Приведены результаты расчётов статических и частотных характеристик и оценка погрешности моделирования биполярного транзистора 2Т937. Решены задачи оптимизации параметров модели Гуммеля-Пуна, взятой за основу при моделировании транзистора. Показано, что созданную модель можно использовать в системах автоматизированного проектирования в качестве элементной базы при разработке транзисторных устройств.
Ключевые слова
статические входные и выходные характеристики,
частотные характеристики,
S-параметры,
модель Гуммеля-Пуна,
САПР,
биполярный транзистор,
static input and output characteristics,
frequency characteristics,
S-parameters,
Gummel-Poon model,
computer-aided design system,
bipolar transistor
Список литературы
1. Хвалин А. Л., Страхова Л. Л., Воробьёв А. В. Оптимизация параметров модели биполярного транзистора по его экспериментальным характеристикам // Радиотехника. 2015. № 7. С. 35-40.
2. Хвалин А. Л. Анализ и синтез интегральных магнитоуправляемых радиотехнических устройств на ферритовых резонаторах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. докт. техн. наук. Самара, Поволжская государственная академия телекоммуникаций и информатики, 2014.
3. Самолданов В. Н., Игнатьев А. А., Ляшенко А. В., Солопов А. А., Хвалин А. Л., Маринин А. В., Коваленко М. Л. Компьютерное моделирование ферритовых резонаторов во внутренних цепях биполярного транзистора в усилительном режиме работы // Гетеромагнитная микроэлектроника. 2004. № 1. С. 110-118.
4. Хвалин А. Л. Векторный магнитометр слабых магнитных полей // Измерительная техника. 2014. № 10. С. 45-48.
5. Хвалин А. Л., Страхова Л. Л. Компьютерное моделирование статических характеристик биполярного транзистора 2Т937 // Гетеромагнитная микроэлектроника. 2016. № 21. С. 43-50.
6. Петухов В. М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги. Т. 4. Справочник. М.: КУбК-а, 1997.
7. Кашкаров А. П. Популярный справочник радиолюбителя. М.: ИП «РадиоСофт», 2008.
8. Бичурин М. И., Букашев Ф. И., Петров В. М. SPICE- модели биполярных транзисторов со статической индукцией // Современные наукоёмкие технологии. 2005. № 3. С. 50-51.
9. Денисенко В. В. Моделирование разброса параметров транзисторов в КМОП СБИС // Компоненты и технологии. 2003. № 8. C. 40-45.
10. Дворников О. В., Шульгевич Ю. Ф. Методы идентификации параметров моделей интегральных транзисторов. Ч. 1. Расчёт Spice-параметров биполярных транзисторов с использованием конструктивно технологических и электрофизических параметров // Современная электроника. 2009. № 5. С. 48-53.
11. Соболь И. М. Выбор оптимальных параметров в задачах со многими критериями. М.: Дрофа, 2006.
12. Черных С. В. Многопараметрическая оптимизация многомодальных функций // Вестник Российского государственного университета им. И. Канта. 2010. Вып. 10. С. 94-103.
13. Карякин В. В. Информационные технологии моделирования биполярных транзисторов в САПР «Telecom-MWO» // Инфокоммуникационные технологии. 2008. № 3. Т. 6. С. 86-93.
14. Аронов В. Л., Евстигнеев А. А. Моделирование мощного биполярного транзистора в усилительном режиме с учётом квазинасыщения // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2005. Вып. 1-2. С. 24--33.
15. Зырин С. С. Применение базовой модели биполярного транзистора для расчета СВЧ-автогенераторов и усилителей // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1989. Вып. 3. С. 33-37.
16. Горбачёв Д. М., Мазеев Е. В., Фурсаев М. А. Решение задач проектирования СВЧ-генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе // Радиотехника. 2011. № 1. С.42-46.
17. Головков А. А, Пивоваров И. Ю, Кузнецов И. Р. Компьютерное моделирование и проектирование радиоэлектронных средств. Учебник для вузов. Стандарт третьего поколения. СПб.: Питер, 2015.
18. Малахов Р. К., Добычина Е. М. Мощные транзисторы для бортовых радиолокационных систем // Научный Вестник МГТУ гражданской авиации. 2012. № 12 (186). С. 184-190
Рецензия
Для цитирования:
Статья Р. Моделирование биполярного транзистора 2Т937 на основе экспериментальных статических и частотных характеристик. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2018;(8):65-68. https://doi.org/10.32446/0368-1025it-2018-8-65-68
Просмотров:
149
Послать статью по эл. почте 