Измерение вольт-амперных характеристик термостабилизированных кремниевых фотодиодов
Аннотация
Приведены результаты высокоточных измерений вольт-амперных характеристик ряда кремниевых фотодиодов. Экспериментально установлено, что наибольшее влияние на точность измерения оказывают случайные колебания температуры фотодиода. Предложена методика термостабилизации, основанная на использовании самого фотодиода в качестве датчика температуры и позволившая уменьшить погрешность измерений напряжения и тока на фотодиоде в 103 раз.Проведено сравнение полученных результатов с известными теоретическими моделями. Показано, что одномерная модель фотодиода (PC1D) гораздо точнее уравнения Шокли.
Об авторах
А. А. Ковалев
Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Россия
Россия
А. А. Либерман
Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Россия
Россия
А. С. Микрюков
Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Россия
Россия
С. А. Москалюк
Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Россия
Россия
Список литературы
1. Ковалев А. А. и др. Определение внутренней квантовой эффективности фотодиода при помощи его вольт-амперных характеристик // Измерительная техника. 2011. № 2. С. 33–36;
2. Kovalev A. A. е. а.Determinationoftheinternalquantum efficiency of a photodiode by means of its current-voltage characteristic // Measurement Techniques.2011. V. 54.N2.P.157–161.
3. Ковалев А. А. и др. Вычисление поглощенной фотодиодом мощности излучения по его экспериментальным вольт-амперным характеристикам // Измерительная техника. 2012. № 1. С. 40–43;
4. Kovalev A. A. е. а.Calculation of the radiation power absorbed by a photodiode from its experimental current-voltage characteristics // Measurement Techniques. 2012. V. 55. N 1. P.57–62.
5. Wei Gao. Precision nanometrology: sensors and measuring systems for nanomanufacturing. N.-Y.: Springer,2010. P. 15–16.
6. Porrovecchio G. e. a. A transfer standard for the low power / few photon regime - the trap detector plus switched integrator amplifier.: 5thSingle Photon Workshop. PTB, 2011.
7. Гавриленко В. И. и др.Оптическиесвойстваполупроводников /Справочник. М: Науковадумка, 1987.
8. King M. Process control: a practical approach. Chichester: John Wiley& Sons Ltd, 2010.
9. Geist J., Baltes H. High accuracy modeling of photodiode quantum efficiency // Appl. Opt.1989. V. 28. N 18. P. 3929 – 3939.
10. Geist J. e. a. Numerical modeling of silicon photodiodes for high-accuracy applications. Pt 2. Interpreting oxide-bias experiments// J. Res. Inst. Stand. Technol.1991. V.96. N 4. P. 471–479.
11. Забородин Ю. С.Промышленнаяэлектроника. М.: Высшаяшкола, 1982.
12. Бонч-Буревич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.
13. Levenberg K. AMethodfortheSolutionofCertain Non-Linear Squares // Quarterly of Appl. Math. 2. 1944. P. 164–168.
Рецензия
Для цитирования:
Ковалев А.А., Либерман А.А., Микрюков А.С., Москалюк С.А. Измерение вольт-амперных характеристик термостабилизированных кремниевых фотодиодов. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2012;(12):22-25.
Просмотров:
123
Послать статью по эл. почте 