Теоретическое и экспериментальное определение внутренней квантовой эффективности кремниевых фотодиодов
Abstract
The theoreticalprocessing of current-voltage characteristics ofHamamatsu S6337 and S1336 photodiodes by least squares method for internal quantum efficiency determination is carried out. A new method of experimental curves processing with use ofreference points is purposed. By means of comparison of trap detectors built on the S6337photodiodes, and certified in PTB the experimental value of internal quantum efficiency of Hamamatsu S6337photodiode is obtained. The discrepancy between theoretical and experimental values was 0,1%.
About the Authors
А. Ковалев
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Russian Federation
Russian Federation
А. Либерман
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Russian Federation
Russian Federation
А. Микрюков
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Russian Federation
Russian Federation
С. Москалюк
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Russian Federation
Russian Federation
М. Улановский
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Ковалев А.А. и др.Определениевнутреннейквантовойэффективностифотодиодаприпомощиего вольт-амперных характеристик // Измерительная техника. 2011. №2. С. 33–36; Kovalev A. А. е. а. Determination of theinternal quantum efficiency of a photodiode by means of its current-voltage characteristic // Measurement Techniques. 2011. V. 54.N 2.P. 157–161.
2. Ковалев А.А.и др. Вычисление поглощенной фотодиодом мощности излучения по его экспериментальным вольт-амперным характеристикам // Измерительная техника. 2012. №1. С. 40–43; KovalevА. A. е. а.Calculation of the radiation power absorbed by a photodiode from its experimental currentvoltage characteristics // Measurement Techniques. 2012. V. 55. N 1.P. 57–62.
3. Ковалев А. А.и др. Измерение вольт-амперных характеристик термостабилизированныхкремнивыих фотодиодов // Измерительная техника. 2012. № 12. С. 22–25;Kovalev A. A. е. а.Measurement of the current–voltage characteristics of thermally stabilized silicon photodiodes // Measurement Techniques.2012. V. 55. N12. P. 1364–1370.
4. Geist J. e. a. Numerical Modeling of Silicon Photodiodes for High-Accuracy Applications. Pt. II. Interpreting Oxide-Bias Experiments // J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 1991. V. 96.N 4. P. 471–479.
5. Geist J., Baltes H. High accuracy modeling of photodiode quantum efficiency // Appl. optics. 1989. V. 28.N 18.P. 3929–3939.
6. Ковалев А.А. и др.Потери в самокалибрующихсятрап-детекторах за счет диффузного рассеяния // Измерительная техника. 2013. № 4. С. 38–42.
Review
For citations:
, , , , . Izmeritel`naya Tekhnika. 2013;(9):44-48. (In Russ.)
Views:
78
Email this article 