Теоретическое и экспериментальное определение внутренней квантовой эффективности кремниевых фотодиодов
Аннотация
Предложен новый метод обработки экспериментальных вольт-амперных характеристик фотодиодов с использованием реперных точек. Путем сличения трап-детектора, разработанного во ВНИИОФИ и построенного на фотодиодах Hamamatsu S6337, с трап-детектором HH-03-1337, аттестованным при помощи криогенного радиометра в PTB, получено экспериментальное значение внутренней квантовой эффективности фотодиода Hamamatsu S6337.
Об авторах
А. А. Ковалев
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Россия
Россия
А. А. Либерман
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Россия
Россия
А. С. Микрюков
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Россия
Россия
С. А. Москалюк
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Россия
Россия
М. В. Улановский
Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Россия
Россия
Список литературы
1. Ковалев А.А. и др.Определениевнутреннейквантовойэффективностифотодиодаприпомощиего вольт-амперных характеристик // Измерительная техника. 2011. №2. С. 33–36; Kovalev A. А. е. а. Determination of theinternal quantum efficiency of a photodiode by means of its current-voltage characteristic // Measurement Techniques. 2011. V. 54.N 2.P. 157–161.
2. Ковалев А.А.и др. Вычисление поглощенной фотодиодом мощности излучения по его экспериментальным вольт-амперным характеристикам // Измерительная техника. 2012. №1. С. 40–43; KovalevА. A. е. а.Calculation of the radiation power absorbed by a photodiode from its experimental currentvoltage characteristics // Measurement Techniques. 2012. V. 55. N 1.P. 57–62.
3. Ковалев А. А.и др. Измерение вольт-амперных характеристик термостабилизированныхкремнивыих фотодиодов // Измерительная техника. 2012. № 12. С. 22–25;Kovalev A. A. е. а.Measurement of the current–voltage characteristics of thermally stabilized silicon photodiodes // Measurement Techniques.2012. V. 55. N12. P. 1364–1370.
4. Geist J. e. a. Numerical Modeling of Silicon Photodiodes for High-Accuracy Applications. Pt. II. Interpreting Oxide-Bias Experiments // J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 1991. V. 96.N 4. P. 471–479.
5. Geist J., Baltes H. High accuracy modeling of photodiode quantum efficiency // Appl. optics. 1989. V. 28.N 18.P. 3929–3939.
6. Ковалев А.А. и др.Потери в самокалибрующихсятрап-детекторах за счет диффузного рассеяния // Измерительная техника. 2013. № 4. С. 38–42.
Рецензия
Для цитирования:
Ковалев А.А., Либерман А.А., Микрюков А.С., Москалюк С.А., Улановский М.В. Теоретическое и экспериментальное определение внутренней квантовой эффективности кремниевых фотодиодов. Izmeritelʹnaya Tekhnika. 2013;(9):44-48.
Просмотров:
76
Послать статью по эл. почте 