Открытый доступ
Только для подписчиков
Измерение теплового импеданса светодиодов и светодиодных матриц
Аннотация
Описан измеритель частотных и токовых зависимостей модуля и фазы теплового импеданса светодиодов и светодиодных матриц мощностью 100 Вт и более. Принцип работы измерителя основан на пропускании через светодиоды последовательности импульсов прямого тока, широтно-импульсно модулированной по гармоническому закону, и определении переменной составляющей температуры p-n- перехода светодиода по изменению напряжения в паузах между импульсами тока. Представлен алгоритм определения компонент полного теплового сопротивления светодиода или светодиодной матрицы по результатам обработки частотных зависимостей модуля и фазы теплового импеданса. Приведены примеры реализации алгоритма.
Об авторах
В. И. Смирнов
Ульяновский государственный технический университет
Россия
Россия
В. А. Сергеев
Ульяновский государственный технический университет
Россия
Россия
А. А. Гавриков
Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Россия
Россия
Список литературы
1. Давидов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1967.
2. Шуберт Ф. Е. Светодиоды. М: ФИЗМАТЛИТ, 2008.
3. IC Thermal Measurement Method - Electrical Test Method (Single Semiconductor Device) EIA/JEDEC JESD51-1 standard. [Электр. ресурс] http://www.jedec.org/standards-documents/results/JESD51-1 (дата обращения 14.11.2015).
4. T3Ster - Thermal Transient Tester. [Электр. ресурс] http://www.mentor.com/micred. (дата обращения 14.11.2015).
5. Siegal B. Thermal Load Board Design Considerations // Electronics Cooling. 2009. V. 18. N. 3. Р. 213-219
6. Schweitzer D. Transient Dual Interface Measurement of the Rth-JC of Power Semiconductor Packages. Electronics Cooling. 2010. V. 16, N. 3, Р. 184-189.
7. Hamidi A., Coquery G., Lallemand R., Vales P., Dorkel J.M. Temperature measurements and thermal modeling of high power IGBT multichip modules for reliability investigations in traction applications // Microelectronics Reliability. 1998. V. 38, Р. 1353-1359.
8. Пат. 2402783 РФ. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов / В. А. Сергеев, В. И. Смирнов, В. В. Юдин, А. А. Гавриков // Изобретения. Полезные модели. 2001. №30.
9. Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Фролов И. В. Измерение теплового импеданса мощных светодиодов с применением широтно-импульсной модуляции мощности // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. №3 (95). С. 64-68.
10. Смирнов В. И., Сергеев В. А., Гавриков А. А., Корунов Д. И. Аппаратно-программный комплекс для измерений тепловых характеристик полупроводниковых приборов // Приборы и техника эксперимента. 2013. № 1. С. 135-136
Рецензия
Для цитирования:
Смирнов В.И., Сергеев В.А., Гавриков А.А. Измерение теплового импеданса светодиодов и светодиодных матриц. Измерительная техника. 2017;(1):33-36.
Просмотров: 11
Послать статью по эл. почте 