izmertechИзмерительная техникаIzmeritel`naya Tekhnika0368-10252949-5237ФГУП "ВНИИФТРИ"izmertech-92Research ArticleК ЮБИЛЕЮ ИНСТИТУТАИнтерпретация данных сканирующей туннельной микроскопииМандельА. М.arkadimandel@mail.ruЛоскутовА. И.noemail@neicon.ruОшуркоВ. Б.noemail@neicon.ruСоломахоГ. И.noemail@neicon.ruВеселкоС. В.noemail@neicon.ruМосковский государственный технологический университет «СТАНКИН»Russian Federation201507022023071014Copyright © ФГУП "ВНИИФТРИ", 20232023ФГУП "ВНИИФТРИ"ФГУП "ВНИИФТРИ"https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.izmt.ru/jour/article/view/92

Рассмотрены явления, нарушающие однозначную связь силы туннельного тока с шириной туннельного промежутка при измерениях профиля поверхности в сканирующем туннельном микроскопе. Основное внимание уделяется влиянию структуры поверхностных электронных состояний на туннельный ток.

The phenomenon violating of unique relationship between the tunnel current strength and the width of tunnel gap at the surface profile measurements in a scanning tunnel microscope are discussed. The discussion has been focused on the influence of surface electronic states on tunnel current.

сканирующая туннельная микроскопиятуннельный токповерхностные электронные состоянияscanning tunnel microscopytunnel currentsurface electronic statesReferencesBhushan B. Nanotrebology and Nanomechanics. Berlin, Heydelberg: Springer-Verlag, 2008.Bhushan B. Nanotrebology and Nanomechanics. Berlin, Heydelberg: Springer-Verlag, 2008.Миронов В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Н. Новгород: Ин-т Физики Микроструктур РАН, 2004.Миронов В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Н. Новгород: Ин-т Физики Микроструктур РАН, 2004.Simmons J. G. Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film. // J. Appl. Phys. 1963. V.34. P.1793-1803.Simmons J. G. Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film. // J. Appl. Phys. 1963. V.34. P.1793-1803.Bohme T., Simpson C. D., Mullen K., Rabe J. P. Сurrent-voltage characteristics of a homologous series of polycyclic Aromatic Hydrocarbons // Eur. J. Chemistry A. 2007. V. 13. P. 7349-7357.Bohme T., Simpson C. D., Mullen K., Rabe J. P. Сurrent-voltage characteristics of a homologous series of polycyclic Aromatic Hydrocarbons // Eur. J. Chemistry A. 2007. V. 13. P. 7349-7357.Веселко С. В., Лоскутов А. И., Мандель А. М., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И. Особенности туннельного тока с поверхности полупроводника в окрестности линейного дефекта // Нанотехника. 2014. Т. 37. № 1. С. 67-72.Веселко С. В., Лоскутов А. И., Мандель А. М., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И. Особенности туннельного тока с поверхности полупроводника в окрестности линейного дефекта // Нанотехника. 2014. Т. 37. № 1. С. 67-72.Mandel A. M., Grigoryev S. N., Loskutov A. I., Oshurko V. B., Solomakho G. I. Cold Emission Model of Scanning Tunneling Microscopy. // J. Comput. Theor. Nanosci. 2015. V. 12. N. 11. P. 1-8.Mandel A. M., Grigoryev S. N., Loskutov A. I., Oshurko V. B., Solomakho G. I. Cold Emission Model of Scanning Tunneling Microscopy. // J. Comput. Theor. Nanosci. 2015. V. 12. N. 11. P. 1-8.Филатов Д. О., Круглов. А. В. Исследование поверхности твердых тел методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ): Лабораторная работа. Н. Новгород: Нижегородского государственного университета, 2001.Филатов Д. О., Круглов. А. В. Исследование поверхности твердых тел методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ): Лабораторная работа. Н. Новгород: Нижегородского государственного университета, 2001.Tersoff J., Hamann D. Theory of the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 805-813.Tersoff J., Hamann D. Theory of the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 805-813.Мандель А. М., Лоскутов А. И., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И., Федотова Ю. А. Изучение поверхностных электронных состояний в полупроводниках посредством холодной эмиссии в сканирующих туннельных микроскопах // Успехи современной радиоэлектроники. 2013. № 11. С. 23-28.Мандель А. М., Лоскутов А. И., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И., Федотова Ю. А. Изучение поверхностных электронных состояний в полупроводниках посредством холодной эмиссии в сканирующих туннельных микроскопах // Успехи современной радиоэлектроники. 2013. № 11. С. 23-28.Григорьев С. Н., Мандель А. М., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И. Об определении эффективной фрактальной размерности нанопокрытий с помощью магнитного поля // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 24. С. 74-80.Григорьев С. Н., Мандель А. М., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И. Об определении эффективной фрактальной размерности нанопокрытий с помощью магнитного поля // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 24. С. 74-80.Мандель А. М., Лоскутов А. И., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И. О возможности определения локальной фрактальной размерности поверхности по вольтамперным характеристикам туннельного тока // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. 2013. № 2 (298). С. 56-61.Мандель А. М., Лоскутов А. И., Ошурко В. Б., Соломахо Г. И. О возможности определения локальной фрактальной размерности поверхности по вольтамперным характеристикам туннельного тока // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. 2013. № 2 (298). С. 56-61.Niimi Y., Matsui T., Kambara H., Tagami K., Tsukada M., Fukuyama H. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of the electronic local density of states of graphite surfaces near monoatomic step edges // Phys. Rev. B. 2006. V.73. P. 085421-085430.Niimi Y., Matsui T., Kambara H., Tagami K., Tsukada M., Fukuyama H. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of the electronic local density of states of graphite surfaces near monoatomic step edges // Phys. Rev. B. 2006. V.73. P. 085421-085430.Fujita M., Wakabayashi K., Nakada K., Kusakabe K. Peculiar Localized State at Zigzag Graphite Edge // J. Phys. Soc. Jpn. 1996. V. 65. P. 1920-1923.Fujita M., Wakabayashi K., Nakada K., Kusakabe K. Peculiar Localized State at Zigzag Graphite Edge // J. Phys. Soc. Jpn. 1996. V. 65. P. 1920-1923.Бычихин С. А., Галямов М. О., Потемкин В. В., Степанов А. В., Яминский И. В. Сканирующий туннельный микроскоп - измерительное средство нанотехники // Измерительная техника. 1998. № 4. C. 58-61.Бычихин С. А., Галямов М. О., Потемкин В. В., Степанов А. В., Яминский И. В. Сканирующий туннельный микроскоп - измерительное средство нанотехники // Измерительная техника. 1998. № 4. C. 58-61.Кузин А. Ю., Тодуа П. А., Панов В. И., Орешкин А. И. Особенности применения упорядоченных пленок молекул фуллеренов для калибровки сканирующих туннельных микроскопов при измерении геометрических параметров объектов. // Измерительная техника. 2013. № 2. C. 10-15.Кузин А. Ю., Тодуа П. А., Панов В. И., Орешкин А. И. Особенности применения упорядоченных пленок молекул фуллеренов для калибровки сканирующих туннельных микроскопов при измерении геометрических параметров объектов. // Измерительная техника. 2013. № 2. C. 10-15.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.