Рассмотрена технология изготовления микроэлектронного кремниевого резистивного газового сенсора. Формирование контактов нагревателя и терморезистора на пластине окисленного кремния осуществляется напылением плёнки нихрома и последующей фотолитографией в сочетании с реактивным магнетронным напылением нанокристаллической плёнки диоксида олова с аддитивами тербия и сурьмы. Для чипа сенсора размером 1,5×1,5 мм оптимальная рабочая температура 250-280оС обеспечивается при мощности нагрева 90 мВт. Сенсор обладает высокой чувствительностью к группе спиртов и малой чувствительностью к бензолу и ацетону.
The description of the microelectronic resistive gas sensors technology was done. It includes the standard silicon devices technology and thin nanocrystal films SnO2 with additives Tb and Sb reactive magnetron deposition. The sensor has sizes 1,5x1,5x0,3 mm3 and needs 90 mW for hearting to optimal working temperature 280-300oC. Sensor has very high sensitivity to spirits and small sensitivity to benzyl and acetone.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.