izmertechИзмерительная техникаIzmeritel`naya Tekhnika0368-10252949-5237ФГУП "ВНИИФТРИ"10.32446/0368-1025it-2018-9-49-53izmertech-850Research ArticleОПТИКО-ФИЗИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯOPTICOPHYSICAL MEASUREMENTSИзмерительный комплекс для диагностики качества светоизлучающих гетероструктур по фотоэлектрическому и оптическому отклику при локальном фотовозбужденииСергеевВ. А.ufire@mv.ruВасинС. В.ufire@mv.ruФроловИ. В.ufire@mv.ruРадаевО. А.ufire@mv.ruУльяновск, РоссияRussian Federation201807022023094953Copyright © ФГУП "ВНИИФТРИ", 20232023ФГУП "ВНИИФТРИ"ФГУП "ВНИИФТРИ"https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.izmt.ru/jour/article/view/850

Представлен автоматизированный измерительный комплекс для диагностики латеральной однородности полупроводниковых гетероструктур путём измерения и анализа фотоэлектрического и оптического откликов при их локальном фотовозбуждении в статическом и динамическом режимах. Электронно-механическая и оптическая системы позиционирования обеспечивают засветку локальной области исследуемой структуры с минимальным диаметром пятна 10 мкм. Показано, что разработанный измерительный комплекс можно использовать для диагностики качества светоизлучающих гетероструктур, транзисторов, солнечных элементов, фотодиодов.

We present a measuring complex for lateral homogeneity diagnostics of semiconductor heterostructures by measuring and analyzing the photoelectric and optical response at local photoexcitation in static and dynamic modes. Electronic-mechanical and optical positioning systems provide illumination of the local region of the investigated structure with a minimum spot diameter of 30 μm and a positioning accuracy of ± 10 μm. The developed measuring system can be used for quality diagnostic of light emitting heterostructure, transistors, solar cells, photodiodes.

светоизлучающие гетероструктурыдиагностика качестваавтоматизированная установкалатеральная неоднородностьлокальное фотовозбуждениефотоэлектрический откликlight-emitting heterostructuresquality diagnosticsthe automated installationlateral heterogeneitylocal photoexcitementphoto-electric responseReferencesАвакянц Л. П., Бадгутдинов М. Л., Боков П. Ю. и др. Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 9. С. 1078-1084.Авакянц Л. П., Бадгутдинов М. Л., Боков П. Ю. и др. Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 9. С. 1078-1084.Li Q., Wang S., Gong Z.-N. et al. Time-resolved photoluminescence studies of InGaN/GaN multi-quantum-wells blue and green light-emitting diodes at room temperature // Optik-International J. Light and Electron Optics. 2016. V. 127. No. 4. P. 1809-1813.Li Q., Wang S., Gong Z.-N. et al. Time-resolved photoluminescence studies of InGaN/GaN multi-quantum-wells blue and green light-emitting diodes at room temperature // Optik-International J. Light and Electron Optics. 2016. V. 127. No. 4. P. 1809-1813.Liu L., Wang W., Huang J.-L., Hu X., Chen P., Huang J.-J., Feng Z. C. Time-Resolved and Temperature-Varied Photoluminescence Studies of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures // 12th Intern. Conf. Solid State Lighting and 4th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting. Proc. of SPIE. 2012. V. 8484. P. 848412.Liu L., Wang W., Huang J.-L., Hu X., Chen P., Huang J.-J., Feng Z. C. Time-Resolved and Temperature-Varied Photoluminescence Studies of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures // 12th Intern. Conf. Solid State Lighting and 4th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting. Proc. of SPIE. 2012. V. 8484. P. 848412.Барановский М. В., Глинский Г. Ф. Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 10. С. 22-28.Барановский М. В., Глинский Г. Ф. Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. Вып. 10. С. 22-28.Карпович И. А. Фотоэлектрическая спектроскопия квантоворазмерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. 2010. № 5(2). С. 233-242.Карпович И. А. Фотоэлектрическая спектроскопия квантоворазмерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. 2010. № 5(2). С. 233-242.Павлова Е. Д., Горшков А. П., Бобров А. И., Малехонова Н. В., Звонков Б. Н. Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и delta-слоем Mn // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып. 12. С. 1617-1620.Павлова Е. Д., Горшков А. П., Бобров А. И., Малехонова Н. В., Звонков Б. Н. Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и delta-слоем Mn // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып. 12. С. 1617-1620.Сергеев В. А., Васин С. В., Радаев О. А., Фролов И. В. Автоматизированная установка диагностики качества светоизлучающих гетероструктур методом динамического фотоэлектрического отклика // Автоматизация процессов управления. 2017. № 2. С. 92-97.Сергеев В. А., Васин С. В., Радаев О. А., Фролов И. В. Автоматизированная установка диагностики качества светоизлучающих гетероструктур методом динамического фотоэлектрического отклика // Автоматизация процессов управления. 2017. № 2. С. 92-97.Лушников Д. Е., Черторийский А. А. Измерение деформации упругого элемента с использованием фотоприёмной линейки // INTERMATIC-2016: Материалы междунар. науч.-техн. конф. Москва, 21-25 ноября 2016 г. С. 179-181.Лушников Д. Е., Черторийский А. А. Измерение деформации упругого элемента с использованием фотоприёмной линейки // INTERMATIC-2016: Материалы междунар. науч.-техн. конф. Москва, 21-25 ноября 2016 г. С. 179-181.Sergeev V. A., Vasin S. V. Radaev O. A., Frolov I. V. Measuring complex for registering photoelectric response of LED heterostructures under local photoexcitation // Proc. of the Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies. MWENT-2018. P. 1-4. DOI: 10.1109/MWENT.2018.8337210.Sergeev V. A., Vasin S. V. Radaev O. A., Frolov I. V. Measuring complex for registering photoelectric response of LED heterostructures under local photoexcitation // Proc. of the Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies. MWENT-2018. P. 1-4. DOI: 10.1109/MWENT.2018.8337210.Черторийский А. А., Веснин В. Л., Беринцев А. В. Особенности корреляционной обработки сигналов датчиков на основе волоконно-оптических брэгговских решёток // Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник научных трудов. Ульяновск: УлГТУ, 2011. С. 193-198.Черторийский А. А., Веснин В. Л., Беринцев А. В. Особенности корреляционной обработки сигналов датчиков на основе волоконно-оптических брэгговских решёток // Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник научных трудов. Ульяновск: УлГТУ, 2011. С. 193-198.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.