<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">izmertech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Измерительная техника</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izmeritel`naya Tekhnika</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">0368-1025</issn><issn pub-type="epub">2949-5237</issn><publisher><publisher-name>ФГУП "ВНИИФТРИ"</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">izmertech-820</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>RADIO MEASUREMENTS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Экспериментальное исследование полевых транзисторов в режиме зарядки-разрядки подзатворного конденсатора</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title></trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Акопьян</surname><given-names>В. А.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">akop@math.rsu.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Карапетьян</surname><given-names>Г. Я.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Южный федеральный университет</institution><country>Russian Federation</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2016</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>07</day><month>02</month><year>2023</year></pub-date><volume>0</volume><issue>9</issue><fpage>49</fpage><lpage>52</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; ФГУП "ВНИИФТРИ", 2023</copyright-statement><copyright-year>2023</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">ФГУП "ВНИИФТРИ"</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">ФГУП "ВНИИФТРИ"</copyright-holder><license xlink:href="https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNotice" xlink:type="simple"><license-p>https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNotice</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.izmt.ru/jour/article/view/820">https://www.izmt.ru/jour/article/view/820</self-uri><abstract><p>Проведено экспериментальное исследование полевых транзисторов КП304А в режиме зарядки-разрядки подзатворного конденсатора в схеме переключения с дополнительным резистором между стоком-истоком и подложкой. Предложена методика измерениий мощности на резисторах и ключах с помощью ключевой схемы и цифрового осциллографа B-421.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>An experimental study of field-effect transistors KП304А in the charge-discharge mode of the gate capacitor in the key diagram from voltage U to the voltage Uo (U&gt;U0). The measurement method of this process using key circuit and digital oscilloscope B-421 is offered.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>полевой транзистор</kwd><kwd>потребляемая мощность</kwd><kwd>мощность на резисторах</kwd><kwd>field effect transistor</kwd><kwd>consumption power</kwd><kwd>power on the resistors</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Лунин Л. С., Днепровский В. Г, Карапетьян Г. Я., Катаев В. Ф Преобразование тепла окружающей среды в электрическую энергию в системе металл-диэлектрик-полупроводник-металл // Журнал технической физики. 2013. Т.83. №11. С.72-77.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Лунин Л. С., Днепровский В. Г, Карапетьян Г. Я., Катаев В. Ф Преобразование тепла окружающей среды в электрическую энергию в системе металл-диэлектрик-полупроводник-металл // Журнал технической физики. 2013. Т.83. №11. С.72-77.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Mahan G. D., Lindsay L., Broido D. A. The Seebeck coefficient and phonon drag in silicon // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. 245102(2014)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Mahan G. D., Lindsay L., Broido D. A. The Seebeck coefficient and phonon drag in silicon // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. 245102(2014)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ржанов А. В. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник. М.: НАУКА, 1976.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ржанов А. В. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник. М.: НАУКА, 1976.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
