izmertechИзмерительная техникаIzmeritel`naya Tekhnika0368-10252949-5237ФГУП "ВНИИФТРИ"izmertech-807Research ArticleНАНОМЕТРОЛОГИЯПрограммно-аппаратный комплекс для электрофизического контроля КМОП-технологии на тестовых структурахПоповскихК. Г.k.popovskikh@mail.ruСолдатовВ. С.noemail@neicon.ruОрешковМ. В.noemail@neicon.ruНациональный исследовательский университет «МЭИ»Russian FederationФедеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований РАНRussian Federation2016070220230937Copyright © ФГУП "ВНИИФТРИ", 20232023ФГУП "ВНИИФТРИ"ФГУП "ВНИИФТРИ"https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.izmt.ru/jour/article/view/807

Разработан и реализован аппаратно-методический комплекс электрофизических методов для контроля технологии субмикрометровых КМОП интегральных схем. Создана программируемая коммутация элементов комплекса, позволяющая использовать взаимодополняющие измерительные методики для получения информации, которая необходима для коррекции технологического процесса. В состав комплекса входят программы для управления измерением и расчёта необходимых характеристик.

An instrument-based and methodical system of electrophysical methods for the control of sub-micron CMOS integrated circuit technology has been developed and implemented. The programmable commutation of the switching components is produced allowing the use of a wide range of complementary measurement techniques to obtain information required for the correction of technology process. The system includes software to control measurement and calculation of the required characteristics.

электрофизические методыизмерение и анализКМОП-технологияelectrophysical methodmeasurement and analysisCMOS technologyReferencesMcWhorter P. J., Winokur P. S. Simple technique for separating the effects of interface traps and trapped-oxide charge in metal-oxide-semiconductor transistors // Applied Physics Letters. 1986. V. 48. No. 2. P. 133-135.McWhorter P. J., Winokur P. S. Simple technique for separating the effects of interface traps and trapped-oxide charge in metal-oxide-semiconductor transistors // Applied Physics Letters. 1986. V. 48. No. 2. P. 133-135.Groeseneken G., Maes H. E., Beltrán N., de Keersmaecker R. F. A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors // IEEE Trans. ED. 1984. V. 31. P. 42-53.Groeseneken G., Maes H. E., Beltrán N., de Keersmaecker R. F. A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors // IEEE Trans. ED. 1984. V. 31. P. 42-53.Starkov I., Enichlmair S., Tyaginov S., Grasser T. Charge-Pumping Extraction Techniques for Hot-Carrier Induced Interface and Oxide Trap Spatial Distributions in MOSFETs // IPFA, 19th IEEE International Symposium. 2012. P. 1-6.Starkov I., Enichlmair S., Tyaginov S., Grasser T. Charge-Pumping Extraction Techniques for Hot-Carrier Induced Interface and Oxide Trap Spatial Distributions in MOSFETs // IPFA, 19th IEEE International Symposium. 2012. P. 1-6.Chen C., Ma T.-P. Direct Lateral Profiling of Hot-Carrier-Induced Oxide Charge and Interface Traps in Thin Gate MOSFET's // IEEE Trans. ED. 1998. V. 45. No 2. P. 512-520.Chen C., Ma T.-P. Direct Lateral Profiling of Hot-Carrier-Induced Oxide Charge and Interface Traps in Thin Gate MOSFET's // IEEE Trans. ED. 1998. V. 45. No 2. P. 512-520.Поповских К. Г., Зенова Е. В., Тагаченков А. М., Солдатов В. С. Сравнительное изучение подзатворных систем n- и р-канальных МДП-транзисторов КМДП СБИС электрофизическими методами // Флуктуационные и деградационные процессы в п/п приборах: Материалы докл. науч.-метод. семинара М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, НИУ «МЭИ», 2015. С. 123-130.Поповских К. Г., Зенова Е. В., Тагаченков А. М., Солдатов В. С. Сравнительное изучение подзатворных систем n- и р-канальных МДП-транзисторов КМДП СБИС электрофизическими методами // Флуктуационные и деградационные процессы в п/п приборах: Материалы докл. науч.-метод. семинара М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, НИУ «МЭИ», 2015. С. 123-130.Поповских К. Г., Орешков М. В., Солдатов В. С. Диагностика заряжения подзатворной системы МДП-транзисторов КМОП СБИС при различных видах стресса методом зарядовой накачки // Флуктуационные и деградационные процессы в п/п приборах: Материалы докл. науч.-метод. семинара М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, НИУ «МЭИ», 2015. С. 130-138.Поповских К. Г., Орешков М. В., Солдатов В. С. Диагностика заряжения подзатворной системы МДП-транзисторов КМОП СБИС при различных видах стресса методом зарядовой накачки // Флуктуационные и деградационные процессы в п/п приборах: Материалы докл. науч.-метод. семинара М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, НИУ «МЭИ», 2015. С. 130-138.Lee R.G.-H., Su J.-S., Chung S.S. A New Method for Characterizing the Spatial Distributions of Interface States and Oxide-Trapped Charges in LDD n-MOSFET's // IEEE Trans. ED. 1996. V. 43. No 1. P. 81-89.Lee R.G.-H., Su J.-S., Chung S.S. A New Method for Characterizing the Spatial Distributions of Interface States and Oxide-Trapped Charges in LDD n-MOSFET's // IEEE Trans. ED. 1996. V. 43. No 1. P. 81-89.Hori T. Gate Dielectrics and MOS ULSIs. Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 1997.Hori T. Gate Dielectrics and MOS ULSIs. Berlin Heidelberg: Springer-Verlag, 1997.Chang T. Y., Chen J., Ko P.K., Hu C. The impact of gate-induced drain leakage current on MOSFET scaling // IEEE IEDM Digest. 1987. P. 718-721.Chang T. Y., Chen J., Ko P.K., Hu C. The impact of gate-induced drain leakage current on MOSFET scaling // IEEE IEDM Digest. 1987. P. 718-721.Hori T. Drain-structure design for reduced band-to-band and band-to-defect tunneling leakage // IEEE Symp. VLSI Technology. Digest. 1990. P. 69-70.Hori T. Drain-structure design for reduced band-to-band and band-to-defect tunneling leakage // IEEE Symp. VLSI Technology. Digest. 1990. P. 69-70.Degraeve R. , Groeseneken G., Bellens R. , Ogier J. L., Depas M. , Roussel P. J., Maes H. E. New Insights in the Relation Between Electron Trap Generation and the Statistical Properties of Oxide Breakdown // IEEE Trans. ED. 1998. V. 45. No. 4. P. 904-911.Degraeve R. , Groeseneken G., Bellens R. , Ogier J. L., Depas M. , Roussel P. J., Maes H. E. New Insights in the Relation Between Electron Trap Generation and the Statistical Properties of Oxide Breakdown // IEEE Trans. ED. 1998. V. 45. No. 4. P. 904-911.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.