Представлена методика моделирования биполярного транзистора 2Т937. Приведены результаты расчётов статических и частотных характеристик и оценка погрешности моделирования биполярного транзистора 2Т937. Решены задачи оптимизации параметров модели Гуммеля-Пуна, взятой за основу при моделировании транзистора. Показано, что созданную модель можно использовать в системах автоматизированного проектирования в качестве элементной базы при разработке транзисторных устройств.
The technique of modeling of the bipolar transistor 2T937 is presented. Results of calculations of static and frequency characteristics and assessment of an error of modeling of the bipolar transistor 2T937 are given. Problems of optimization of parameters of the model of Hummel-Poon taken as a basis when modeling the transistor are solved. It is shown that the created model can be used in computer-aided engineering systems as element base when developing transistor devices
The authors declare that there are no conflicts of interest present.