izmertechИзмерительная техникаIzmeritel`naya Tekhnika0368-10252949-5237ФГУП "ВНИИФТРИ"izmertech-770Research ArticleЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯELECTROMAGNETIC MEASUREMENTSПланарный магнитотранзистор с компенсацией коллекторного токаТихоновР. Д.R.Tikhonov@tcen.ruНаучно-производственный комплекс «Технологический центр» МИЭТRussian Federation201707022023085560Copyright © ФГУП "ВНИИФТРИ", 20232023ФГУП "ВНИИФТРИ"ФГУП "ВНИИФТРИ"https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.izmt.ru/jour/article/view/770

Исследована конструкция магнитотранзистора с двумя контактами к базе с целью повышения чувствительности планарного магнитотранзистора. Рассмотрена возможность реализации магнитотранзистора с компенсацией коллекторного тока по технологии гетеропереходных биполярных транзисторов.

The design of magnetotransistor with two contacts to the base was investigated with the aim of improving the sensitivity of planar magnetotransistor. The possibility of realization of MTCCC at geterojunction bipolar transistors technology was considered.

биполярный магнитотранзистормагниточувствительностьинжекция неосновных носителей токасила Лоренцагетеропереходыbipolar magnetotransistormagnetosensitivityinjection of minor current carriersLorentz forcegeterojunctionReferencesТихонов Р. Д. Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы // Нано- и микросистемная техника 2010. № 6. С. 31-36.Тихонов Р. Д. Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы // Нано- и микросистемная техника 2010. № 6. С. 31-36.Ristic L., Doan M., Paranjape M. 3-D Magnetic Field Sensor Realized as a Lateral Magnetotransistor in CMOS Technology// Sensors and Actuators. 1999. V. 90. P. 770-775.Ristic L., Doan M., Paranjape M. 3-D Magnetic Field Sensor Realized as a Lateral Magnetotransistor in CMOS Technology// Sensors and Actuators. 1999. V. 90. P. 770-775.Митникова И. М., Персиянов Т. В., Рекалова Г. И., Штюбнер Г. А. Исследование характеристик кремниевых боковых магнитотранзисторов с двумя измерительными коллекторами // ФТП. 1978. T. 12. № 1. C. 48-50.Митникова И. М., Персиянов Т. В., Рекалова Г. И., Штюбнер Г. А. Исследование характеристик кремниевых боковых магнитотранзисторов с двумя измерительными коллекторами // ФТП. 1978. T. 12. № 1. C. 48-50.Ristic L. J., Baltes H. P., Smy T., Filanovsky I. A Lateral Magnetotransistor with a Linear Response to the Magnetic Field// IEEE Transactions of Electron Devices. 1989. V. 36. № 6. Р. 1076-1086.Ristic L. J., Baltes H. P., Smy T., Filanovsky I. A Lateral Magnetotransistor with a Linear Response to the Magnetic Field// IEEE Transactions of Electron Devices. 1989. V. 36. № 6. Р. 1076-1086.Uk-Song, Seung-Ki Lee, Min-Koo Han. Highly sensitive magnetotransistor with combined phenomena of Hall effect and emitter injection modulation operated in the saturation mode // Sensors and Actuators. 1996. V. A54. P. 641-645.Uk-Song, Seung-Ki Lee, Min-Koo Han. Highly sensitive magnetotransistor with combined phenomena of Hall effect and emitter injection modulation operated in the saturation mode // Sensors and Actuators. 1996. V. A54. P. 641-645.Тихонов Р. Д. Физико-технические характеристики двухколлекторного магнитотранзистора // Прикладная физика. 2008. № 4. C. 147-152.Тихонов Р. Д. Физико-технические характеристики двухколлекторного магнитотранзистора // Прикладная физика. 2008. № 4. C. 147-152.Davies L. W., Wells M. S. Magneto-transistor incorporated in an IC // Proc. IREE, Australia. 1971. V. 6. P. 235-238.Davies L. W., Wells M. S. Magneto-transistor incorporated in an IC // Proc. IREE, Australia. 1971. V. 6. P. 235-238.Roumenin Ch. S. Optimized parallel-field magnetotransistor sensor // Sensors and Actuators. 1988. V. 14. Р. 177-190.Roumenin Ch. S. Optimized parallel-field magnetotransistor sensor // Sensors and Actuators. 1988. V. 14. Р. 177-190.Kassabov J., Smirnov N., Nedev N. A magnetosensitive dual-emitter dual-base transistor // Sensors and Actuarors A: Physical. 1990. V. 24. No. 3. P. 197-202.Kassabov J., Smirnov N., Nedev N. A magnetosensitive dual-emitter dual-base transistor // Sensors and Actuarors A: Physical. 1990. V. 24. No. 3. P. 197-202.Smirnov N., Nedev N., Boursas A. Lateral magnetotransistor with enhanced emitter injection modulation // Sensors and Actuators A: Physical. 1992. V. 35. No. 2. Р. 113-119.Smirnov N., Nedev N., Boursas A. Lateral magnetotransistor with enhanced emitter injection modulation // Sensors and Actuators A: Physical. 1992. V. 35. No. 2. Р. 113-119.Красюков А. Ю., Тихонов Р. Д., Козлов А. В. Исследование магнитототранзисторов c новой топологией // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 2. C. 120-133.Красюков А. Ю., Тихонов Р. Д., Козлов А. В. Исследование магнитототранзисторов c новой топологией // Микроэлектроника. 2015. Т. 44. № 2. C. 120-133.Tikhonov R. D. Sensor on Bipolar Magnetotransistor with Base in Well // Solid State Electronics. 2005.V. 49/8. P. 1302-1308.Tikhonov R. D. Sensor on Bipolar Magnetotransistor with Base in Well // Solid State Electronics. 2005.V. 49/8. P. 1302-1308.Тихонов Р. Д. Трёхколлекторный магнитотранзистор. KG, Saarbrucken, Deutschland: Lambert Academic Publishing GmbH&Co, 2013.Тихонов Р. Д. Трёхколлекторный магнитотранзистор. KG, Saarbrucken, Deutschland: Lambert Academic Publishing GmbH&Co, 2013.Oxland R. K. An HBT Magnetic Sensor with Integrated 3 Dimensional Magnetic Structures. Glasgow, 2009.Oxland R. K. An HBT Magnetic Sensor with Integrated 3 Dimensional Magnetic Structures. Glasgow, 2009.Przeslawski T., Wolkenberg A., Koniewski J., Reginski K., Jasik A. Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As / InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition // Optica Applicata. 2005. V. XXXV. No. 3. P. 627-634.Przeslawski T., Wolkenberg A., Koniewski J., Reginski K., Jasik A. Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As / InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition // Optica Applicata. 2005. V. XXXV. No. 3. P. 627-634.Васильевский И. С., Галиев Г. Б., Матвеев Ю. А., Климов Е. А., Пожела Ю., Пожела Л., Сужеделис А., Пашкевич Ч., Юцене В. Транспорт электронов в квантовой яме In0.52Al0.48As/ In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As с δ- легированным Si барьером в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. В. 7. C. 928-933.Васильевский И. С., Галиев Г. Б., Матвеев Ю. А., Климов Е. А., Пожела Ю., Пожела Л., Сужеделис А., Пашкевич Ч., Юцене В. Транспорт электронов в квантовой яме In0.52Al0.48As/ In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As с δ- легированным Si барьером в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. В. 7. C. 928-933.Егоров А. Ю., Гладышев А. Г., Никитина Е. В., Денисов Д. В., Поляков Н. К., Пирогов Е. В., Горбацевич А. А. Двухканальные псевдоморфные НЕМТ-гетероструктуры InGaAs/АlGaAs/GaAs с импульсным легированием // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. В. 7. C. 950-954.Егоров А. Ю., Гладышев А. Г., Никитина Е. В., Денисов Д. В., Поляков Н. К., Пирогов Е. В., Горбацевич А. А. Двухканальные псевдоморфные НЕМТ-гетероструктуры InGaAs/АlGaAs/GaAs с импульсным легированием // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. В. 7. C. 950-954.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.