izmertechИзмерительная техникаIzmeritel`naya Tekhnika0368-10252949-5237ФГУП "ВНИИФТРИ"izmertech-594Research ArticleТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯTHERMOPHYSIC MEASUREMENTSОценка погрешностей определения параметров линейных тепловых цепей полупроводниковых приборов по частотным зависимостям теплового импедансаСергеевВ. А.ufire@mv.ruФроловИ. В.noemail@neicon.ruУльяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАНRussian Federation201607022023084145Copyright © ФГУП "ВНИИФТРИ", 20232023ФГУП "ВНИИФТРИ"ФГУП "ВНИИФТРИ"https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.izmt.ru/jour/article/view/594

The algorithm for determining the parameters of 2n linear thermal circuits of semiconductor devices submitted in the form of n series-connected RC- units is proposed. By numerical computer simulation estimates of errors of determining those parameters on frequency dependences of the thermal impedance module of the semiconductor devices are obtained. The frequencies for which the errors in determining the parameters do not exceed the specified values were also obtained.

полупроводниковый прибортепловое сопротивлениетепловой импедансоптимальные частотыsemiconductor devicethermal circuitthermal impedanceoptimal frequencyReferencesЗакгейм А. Л., Курышев Г. Л., Мизеров М. Н., Половинкин В. Г., Рожанский И. В., Черняков А. Е. Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaNфлип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 3. С. 390-396.Закгейм А. Л., Курышев Г. Л., Мизеров М. Н., Половинкин В. Г., Рожанский И. В., Черняков А. Е. Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaNфлип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 3. С. 390-396.Shan O., Dai Q., Chhajed S. Analysis of thermal properties of GaInN light-emitting diodes and laser diodes // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. P. 084504-1-084504-8.Shan O., Dai Q., Chhajed S. Analysis of thermal properties of GaInN light-emitting diodes and laser diodes // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. P. 084504-1-084504-8.Minseok Ha., Graham S. Development of a thermal resistance model for chip-on-board packaging of high power LED arrays // Microelectronics Reliability. 2012. V. 52. P. 836-844.Minseok Ha., Graham S. Development of a thermal resistance model for chip-on-board packaging of high power LED arrays // Microelectronics Reliability. 2012. V. 52. P. 836-844.ГОСТ 19656.15-84. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления «переход-корпус» и импульсного теплового сопротивления.ГОСТ 19656.15-84. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления «переход-корпус» и импульсного теплового сопротивления.Пат. 2392631 РФ. МПК G01R31/26. Устройство для измерения теплового сопротивления «переход-корпус» полупроводникового прибора / Мальцев И. А., Мальцев А. А. // Изобретения. Полезные модели. 2010. № 17.Пат. 2392631 РФ. МПК G01R31/26. Устройство для измерения теплового сопротивления «переход-корпус» полупроводникового прибора / Мальцев И. А., Мальцев А. А. // Изобретения. Полезные модели. 2010. № 17.Горлов М. И., Сергеев В. А. Современные диагностические методы контроля качества и надёжности полупроводниковых изделий: монография. Ульяновск: УлГТУ, 2014.Горлов М. И., Сергеев В. А. Современные диагностические методы контроля качества и надёжности полупроводниковых изделий: монография. Ульяновск: УлГТУ, 2014.MilStd883C Method 1012.1 Thermal Characteristics of Microelectronic Devices.MilStd883C Method 1012.1 Thermal Characteristics of Microelectronic Devices.EIA/JEDEC JESD51-1 standard. IC Thermal Measurement Method - Electrical Test Method (Single Semiconductor Device) [Электрон. ресурс]. http://www.jedec.org/download/ search/jesd51-1.pdf (дата обращения: 25.05.2015)EIA/JEDEC JESD51-1 standard. IC Thermal Measurement Method - Electrical Test Method (Single Semiconductor Device) [Электрон. ресурс]. http://www.jedec.org/download/ search/jesd51-1.pdf (дата обращения: 25.05.2015)Poppe А., Székely V. Dynamic Temperature measurements: tools providing a look into package and mount structures // Electronics Cooling. 2002. № 8. Р. 10-19.Poppe А., Székely V. Dynamic Temperature measurements: tools providing a look into package and mount structures // Electronics Cooling. 2002. № 8. Р. 10-19.Вяхирев В. Б. Измерение тепловых характеристик полупроводниковых электронных компонентов // Технологии в электронной промышленности. 2013. № 3. С. 90-92.Вяхирев В. Б. Измерение тепловых характеристик полупроводниковых электронных компонентов // Технологии в электронной промышленности. 2013. № 3. С. 90-92.Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Фролов И. В. Измерение теплового импеданса мощных светодиодов с применением широтно-импульсной модуляции мощности // Известия вузов. Электроника. 2012. № 3. С. 64-68.Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Фролов И. В. Измерение теплового импеданса мощных светодиодов с применением широтно-импульсной модуляции мощности // Известия вузов. Электроника. 2012. № 3. С. 64-68.Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Конторович М. Л. Автоматизированный измеритель теплового импеданса полупроводниковых диодов с широтно-импульсной модуляцией греющей мощности // Промышленные АСУ и контроллеры. 2010. № 3. С. 47-49.Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Конторович М. Л. Автоматизированный измеритель теплового импеданса полупроводниковых диодов с широтно-импульсной модуляцией греющей мощности // Промышленные АСУ и контроллеры. 2010. № 3. С. 47-49.Сергеев В. А., Фролов И. В. Алгоритм идентификации параметров тепловых схем полупроводниковых приборов по частотным зависимостям теплового импеданса // Автоматизация процессов управления. 2014. № 4. С. 53-57.Сергеев В. А., Фролов И. В. Алгоритм идентификации параметров тепловых схем полупроводниковых приборов по частотным зависимостям теплового импеданса // Автоматизация процессов управления. 2014. № 4. С. 53-57.Бобылев Д. А., Боровских Л. П. Подход к построению универсальных преобразователей параметров многоэлементных двухполюсников // Измерительная техника. 2014. № 12. С. 47-51.Бобылев Д. А., Боровских Л. П. Подход к построению универсальных преобразователей параметров многоэлементных двухполюсников // Измерительная техника. 2014. № 12. С. 47-51.Кнеллер В. Ю., Боровских Л. П. Определение параметров многоэлементных двухполюсников. М.: Энергоатомиздат, 1986.Кнеллер В. Ю., Боровских Л. П. Определение параметров многоэлементных двухполюсников. М.: Энергоатомиздат, 1986.Сергеев В. А., Фролов И. В. Алгоритм определения набора оптимальных частот тестового сигнала при измерении параметров многоэлементных двухполюсников // Автоматизация процессов управления. 2014. № 1. С. 31-37.Сергеев В. А., Фролов И. В. Алгоритм определения набора оптимальных частот тестового сигнала при измерении параметров многоэлементных двухполюсников // Автоматизация процессов управления. 2014. № 1. С. 31-37.Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ.; под ред. Юновича А. Э. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008.Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ.; под ред. Юновича А. Э. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.