izmertechИзмерительная техникаIzmeritel`naya Tekhnika0368-10252949-5237ФГУП "ВНИИФТРИ"izmertech-516Research ArticleОПТИКО-ФИЗИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯOPTICOPHYSICAL MEASUREMENTSТеоретическое и экспериментальное определение внутренней квантовой эффективности кремниевых фотодиодовКовалевА. А.mrsergik@mail.ruЛиберманА. А.noemail@neicon.ruМикрюковА. С.noemail@neicon.ruМоскалюкС. А.noemail@neicon.ruУлановскийМ. В.noemail@neicon.ruВсесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измеренийRussian Federation201307022023094448Copyright © ФГУП "ВНИИФТРИ", 20232023ФГУП "ВНИИФТРИ"ФГУП "ВНИИФТРИ"https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.izmt.ru/jour/article/view/516

Предложен новый метод обработки экспериментальных вольт-амперных характеристик фотодиодов с использованием реперных точек. Путем сличения трап-детектора, разработанного во ВНИИОФИ и построенного на фотодиодах Hamamatsu S6337, с трап-детектором HH-03-1337, аттестованным при помощи криогенного радиометра в PTB, получено экспериментальное значение внутренней квантовой эффективности фотодиода Hamamatsu S6337.

The theoreticalprocessing of current-voltage characteristics ofHamamatsu S6337 and S1336 photodiodes by least squares method for internal quantum efficiency determination is carried out. A new method of experimental curves processing with use ofreference points is purposed. By means of comparison of trap detectors built on the S6337photodiodes, and certified in PTB the experimental value of internal quantum efficiency of Hamamatsu S6337photodiode is obtained. The discrepancy between theoretical and experimental values was 0,1%.

полупроводниковый фотодиодвольт-амперная характеристикавнутренняя квантовая эффективностьтрап-детекторsemiconductor photodiodecurrent-voltage characteristicinternal quantum efficiencytrap detectorReferencesКовалев А.А. и др.Определениевнутреннейквантовойэффективностифотодиодаприпомощиего вольт-амперных характеристик // Измерительная техника. 2011. №2. С. 33–36; Kovalev A. А. е. а. Determination of theinternal quantum efficiency of a photodiode by means of its current-voltage characteristic // Measurement Techniques. 2011. V. 54.N 2.P. 157–161.Ковалев А.А. и др.Определениевнутреннейквантовойэффективностифотодиодаприпомощиего вольт-амперных характеристик // Измерительная техника. 2011. №2. С. 33–36; Kovalev A. А. е. а. Determination of theinternal quantum efficiency of a photodiode by means of its current-voltage characteristic // Measurement Techniques. 2011. V. 54.N 2.P. 157–161.Ковалев А.А.и др. Вычисление поглощенной фотодиодом мощности излучения по его экспериментальным вольт-амперным характеристикам // Измерительная техника. 2012. №1. С. 40–43; KovalevА. A. е. а.Calculation of the radiation power absorbed by a photodiode from its experimental currentvoltage characteristics // Measurement Techniques. 2012. V. 55. N 1.P. 57–62.Ковалев А.А.и др. Вычисление поглощенной фотодиодом мощности излучения по его экспериментальным вольт-амперным характеристикам // Измерительная техника. 2012. №1. С. 40–43; KovalevА. A. е. а.Calculation of the radiation power absorbed by a photodiode from its experimental currentvoltage characteristics // Measurement Techniques. 2012. V. 55. N 1.P. 57–62.Ковалев А. А.и др. Измерение вольт-амперных характеристик термостабилизированныхкремнивыих фотодиодов // Измерительная техника. 2012. № 12. С. 22–25;Kovalev A. A. е. а.Measurement of the current–voltage characteristics of thermally stabilized silicon photodiodes // Measurement Techniques.2012. V. 55. N12. P. 1364–1370.Ковалев А. А.и др. Измерение вольт-амперных характеристик термостабилизированныхкремнивыих фотодиодов // Измерительная техника. 2012. № 12. С. 22–25;Kovalev A. A. е. а.Measurement of the current–voltage characteristics of thermally stabilized silicon photodiodes // Measurement Techniques.2012. V. 55. N12. P. 1364–1370.Geist J. e. a. Numerical Modeling of Silicon Photodiodes for High-Accuracy Applications. Pt. II. Interpreting Oxide-Bias Experiments // J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 1991. V. 96.N 4. P. 471–479.Geist J. e. a. Numerical Modeling of Silicon Photodiodes for High-Accuracy Applications. Pt. II. Interpreting Oxide-Bias Experiments // J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 1991. V. 96.N 4. P. 471–479.Geist J., Baltes H. High accuracy modeling of photodiode quantum efficiency // Appl. optics. 1989. V. 28.N 18.P. 3929–3939.Geist J., Baltes H. High accuracy modeling of photodiode quantum efficiency // Appl. optics. 1989. V. 28.N 18.P. 3929–3939.Ковалев А.А. и др.Потери в самокалибрующихсятрап-детекторах за счет диффузного рассеяния // Измерительная техника. 2013. № 4. С. 38–42.Ковалев А.А. и др.Потери в самокалибрующихсятрап-детекторах за счет диффузного рассеяния // Измерительная техника. 2013. № 4. С. 38–42.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.