<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">izmertech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Измерительная техника</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izmeritel`naya Tekhnika</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">0368-1025</issn><issn pub-type="epub">2949-5237</issn><publisher><publisher-name>ФГУП "ВНИИФТРИ"</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">izmertech-355</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>THERMOPHYSIC MEASUREMENTS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Измерение теплового импеданса светодиодов и светодиодных матриц</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title></trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Смирнов</surname><given-names>В. И.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">sva@ulstu.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Сергеев</surname><given-names>В. А.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Гавриков</surname><given-names>А. А.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Ульяновский государственный технический университет</institution><country>Russian Federation</country></aff><aff xml:lang="ru" id="aff-2"><institution>Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН</institution><country>Russian Federation</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2017</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>07</day><month>02</month><year>2023</year></pub-date><volume>0</volume><issue>1</issue><fpage>33</fpage><lpage>36</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; ФГУП "ВНИИФТРИ", 2023</copyright-statement><copyright-year>2023</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">ФГУП "ВНИИФТРИ"</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">ФГУП "ВНИИФТРИ"</copyright-holder><license xlink:href="https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNotice" xlink:type="simple"><license-p>https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNotice</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.izmt.ru/jour/article/view/355">https://www.izmt.ru/jour/article/view/355</self-uri><abstract><p>Описан измеритель частотных и токовых зависимостей модуля и фазы теплового импеданса светодиодов и светодиодных матриц мощностью 100 Вт и более. Принцип работы измерителя основан на пропускании через светодиоды последовательности импульсов прямого тока, широтно-импульсно модулированной по гармоническому закону, и определении переменной составляющей температуры p-n- перехода светодиода по изменению напряжения в паузах между импульсами тока. Представлен алгоритм определения компонент полного теплового сопротивления светодиода или светодиодной матрицы по результатам обработки частотных зависимостей модуля и фазы теплового импеданса. Приведены примеры реализации алгоритма.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>An automated measuring complex is presented to measure frequency and current dependence of the module and phase of thermal impedance of light-emitting diodes and LED arrays of 100-Watt and more. The measurement principle of the automated complex is based on passing through a light-emitting diode of sequence of impulses of direct current, pulse-width modulated by the law of harmony, and on measurement of a variable of p-n temperature transition at frequency modulation of change of a voltage drop on p-n transition at a small parallel flow in pauses between thermal impulses. An algorithm is described, defining components of thermal impedance of a light-emitting diode by the results of processing of frequency characteristics of the module and a phase of thermal impedance. Examples of realization of algorithm are given.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>светодиод</kwd><kwd>светодиодная матрица</kwd><kwd>тепловой импеданс</kwd><kwd>широтно-импульсная модуляция</kwd><kwd>гармонический закон</kwd><kwd>light-emitting diode</kwd><kwd>LED matrix</kwd><kwd>thermal impedance</kwd><kwd>heating current impulses</kwd><kwd>pulse-width modulation</kwd><kwd>law of harmony</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Давидов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1967.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Давидов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1967.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Шуберт Ф. Е. Светодиоды. М: ФИЗМАТЛИТ, 2008.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Шуберт Ф. Е. Светодиоды. М: ФИЗМАТЛИТ, 2008.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">IC Thermal Measurement Method - Electrical Test Method (Single Semiconductor Device) EIA/JEDEC JESD51-1 standard. [Электр. ресурс] http://www.jedec.org/standards-documents/results/JESD51-1 (дата обращения 14.11.2015).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">IC Thermal Measurement Method - Electrical Test Method (Single Semiconductor Device) EIA/JEDEC JESD51-1 standard. [Электр. ресурс] http://www.jedec.org/standards-documents/results/JESD51-1 (дата обращения 14.11.2015).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">T3Ster - Thermal Transient Tester. [Электр. ресурс] http://www.mentor.com/micred. (дата обращения 14.11.2015).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">T3Ster - Thermal Transient Tester. [Электр. ресурс] http://www.mentor.com/micred. (дата обращения 14.11.2015).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Siegal B. Thermal Load Board Design Considerations // Electronics Cooling. 2009. V. 18. N. 3. Р. 213-219</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Siegal B. Thermal Load Board Design Considerations // Electronics Cooling. 2009. V. 18. N. 3. Р. 213-219</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Schweitzer D. Transient Dual Interface Measurement of the Rth-JC of Power Semiconductor Packages. Electronics Cooling. 2010. V. 16, N. 3, Р. 184-189.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Schweitzer D. Transient Dual Interface Measurement of the Rth-JC of Power Semiconductor Packages. Electronics Cooling. 2010. V. 16, N. 3, Р. 184-189.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Hamidi A., Coquery G., Lallemand R., Vales P., Dorkel J.M. Temperature measurements and thermal modeling of high power IGBT multichip modules for reliability investigations in traction applications // Microelectronics Reliability. 1998. V. 38, Р. 1353-1359.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Hamidi A., Coquery G., Lallemand R., Vales P., Dorkel J.M. Temperature measurements and thermal modeling of high power IGBT multichip modules for reliability investigations in traction applications // Microelectronics Reliability. 1998. V. 38, Р. 1353-1359.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Пат. 2402783 РФ. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов / В. А. Сергеев, В. И. Смирнов, В. В. Юдин, А. А. Гавриков // Изобретения. Полезные модели. 2001. №30.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Пат. 2402783 РФ. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов / В. А. Сергеев, В. И. Смирнов, В. В. Юдин, А. А. Гавриков // Изобретения. Полезные модели. 2001. №30.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Фролов И. В. Измерение теплового импеданса мощных светодиодов с применением широтно-импульсной модуляции мощности // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. №3 (95). С. 64-68.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Сергеев В. А., Смирнов В. И., Гавриков А. А., Фролов И. В. Измерение теплового импеданса мощных светодиодов с применением широтно-импульсной модуляции мощности // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. №3 (95). С. 64-68.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Смирнов В. И., Сергеев В. А., Гавриков А. А., Корунов Д. И. Аппаратно-программный комплекс для измерений тепловых характеристик полупроводниковых приборов // Приборы и техника эксперимента. 2013. № 1. С. 135-136</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Смирнов В. И., Сергеев В. А., Гавриков А. А., Корунов Д. И. Аппаратно-программный комплекс для измерений тепловых характеристик полупроводниковых приборов // Приборы и техника эксперимента. 2013. № 1. С. 135-136</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
