<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">izmertech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Измерительная техника</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Izmeritel`naya Tekhnika</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">0368-1025</issn><issn pub-type="epub">2949-5237</issn><publisher><publisher-name>ФГУП "ВНИИФТРИ"</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">izmertech-1364</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>НАНОМЕТРОЛОГИЯ</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Наноразмерные пленки Ni-Ti c заданным температурным коэффициентом сопротивления для измерительных преобразователей</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title></trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Васильев</surname><given-names>В. А.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">opto@bk.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Хошев</surname><given-names>А. В.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Пензенский государственный университет</institution><country>Russian Federation</country></aff><aff xml:lang="ru" id="aff-2"><institution>Научно-исследовательский институт физических измерений</institution><country>Russian Federation</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2015</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>07</day><month>02</month><year>2023</year></pub-date><volume>0</volume><issue>5</issue><fpage>18</fpage><lpage>20</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; ФГУП "ВНИИФТРИ", 2023</copyright-statement><copyright-year>2023</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">ФГУП "ВНИИФТРИ"</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">ФГУП "ВНИИФТРИ"</copyright-holder><license xlink:href="https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNotice" xlink:type="simple"><license-p>https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNotice</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.izmt.ru/jour/article/view/1364">https://www.izmt.ru/jour/article/view/1364</self-uri><abstract><p>Представлены результаты исследований процесса получения наноразмерных пленок Ni-Ti методом магнетронного распыления из двух источников для создания измерительных преобразователей. Установлена зависимость между температурным коэффициентом сопротивления пленок и отношением плотностей токов магнетронного разряда. Описан технологический процесс формирования пленок c заданным температурным коэффициентом сопротивления.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The results of study of the process of obtaining nanoscale Ni-Ti films by the method of magnetron sputtering from two sources are presented. The dependence between the temperature coefficient of resistance of nanoscale Ni-Ti films and the ratio of currents densities of magnetron discharge has been established. The process of formation of nanoscale Ni-Ti films with a predetermined temperature coefficient of resistance is described.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>измерительные преобразователи</kwd><kwd>наноразмерные пленки</kwd><kwd>магнетронное распыление</kwd><kwd>температурный коэффициент сопротивления</kwd><kwd>measuring converters</kwd><kwd>nanoscale films</kwd><kwd>magnetron sputtering</kwd><kwd>temperature coefficient of resistance</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Белозубов Е. М., Васильев В. А., Громков Н. В. Тонкопленочные нано- и микроэлектромеханические системы - основа современных и перспективных датчиков давления для ракетной и авиационной техники // Измерительная техника. 2009. № 7. С. 35-38; Belozubov E. M., Vasil`ev V. A., Gromkov N. V. Thin-film nano- and micro-electromechanical systems - the basis of contemporary and future pressure sensors for rocket and aviation engineering // Measurement Techniques. 2009. V. 52. N. 7. P. 739-744.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Белозубов Е. М., Васильев В. А., Громков Н. В. Тонкопленочные нано- и микроэлектромеханические системы - основа современных и перспективных датчиков давления для ракетной и авиационной техники // Измерительная техника. 2009. № 7. С. 35-38; Belozubov E. M., Vasil`ev V. A., Gromkov N. V. Thin-film nano- and micro-electromechanical systems - the basis of contemporary and future pressure sensors for rocket and aviation engineering // Measurement Techniques. 2009. V. 52. N. 7. P. 739-744.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Пат. 2326460 РФ. Способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного резистора/ И. В. Волохов, Е. В. Песков, Д. В. Попченков // Изобретения. Полезные модели. 2008. № 16.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Пат. 2326460 РФ. Способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного резистора/ И. В. Волохов, Е. В. Песков, Д. В. Попченков // Изобретения. Полезные модели. 2008. № 16.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Пат. 2505885 РФ. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе / И. А. Аверин, В. А. Васильев, А. А. Карманов, Р. М. Печерская, И. А. Пронин // Изобретения. Полезные модели. 2014. № 3</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Пат. 2505885 РФ. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе / И. А. Аверин, В. А. Васильев, А. А. Карманов, Р. М. Печерская, И. А. Пронин // Изобретения. Полезные модели. 2014. № 3</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Пат. 1820416 СССР. Способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного тензорезистора / Ю. А. Зеленцов, И. В. Волохов, Е. В. Песков // Изобретения. 1993. № 21.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Пат. 1820416 СССР. Способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного тензорезистора / Ю. А. Зеленцов, И. В. Волохов, Е. В. Песков // Изобретения. 1993. № 21.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Васильев В. А., Хошев А. В. Современные нано- и микроэлектронные технологии для производства НиМЭМС датчиков // Инновационные информационные технологии: Материалы Междунар. науч.-практ. конф. / Под ред. С. У. Увайсова. М.: МИЭМ, 2012. С.473 -475.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Васильев В. А., Хошев А. В. Современные нано- и микроэлектронные технологии для производства НиМЭМС датчиков // Инновационные информационные технологии: Материалы Междунар. науч.-практ. конф. / Под ред. С. У. Увайсова. М.: МИЭМ, 2012. С.473 -475.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Аверин И. А., Карманов А. А., Мошников В. А., Печерская Р. М., Пронин И.А. Особенности синтеза и исследования нанокомпозитных пленок, полученных методом золь-гель-технологии // Известия вузов. Поволжский регион. Физико-математические науки. 2012. № 2. С. 155-162.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Аверин И. А., Карманов А. А., Мошников В. А., Печерская Р. М., Пронин И.А. Особенности синтеза и исследования нанокомпозитных пленок, полученных методом золь-гель-технологии // Известия вузов. Поволжский регион. Физико-математические науки. 2012. № 2. С. 155-162.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Тимаков С. В. Системы управления технологическими режимами магнетронного нанесения тензорезистивных пленок: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук. Пенза, 2011.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Тимаков С. В. Системы управления технологическими режимами магнетронного нанесения тензорезистивных пленок: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук. Пенза, 2011.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Волохов И. В., Тимаков С. В. Новая технология получения тонкопленочных гетероструктур чувствительных элементов датчиков давления // Измерительная техника. 2011. № 3.С. 4-6; Volokhov I. V., Timakov S. V. New technology for production of thin-film heterostructures for the sensitive elements of pressure probes // Measurement Techniques. 2011. V. 54. N. 3. P. 221-225</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Волохов И. В., Тимаков С. В. Новая технология получения тонкопленочных гетероструктур чувствительных элементов датчиков давления // Измерительная техника. 2011. № 3.С. 4-6; Volokhov I. V., Timakov S. V. New technology for production of thin-film heterostructures for the sensitive elements of pressure probes // Measurement Techniques. 2011. V. 54. N. 3. P. 221-225</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Behrisch R. Sputtering by Particle bombardment: Experiments and Computer Calculations from Threshold to Mev Energies / Ed. W. Eckstein. Berlin: Springer, 2007.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Behrisch R. Sputtering by Particle bombardment: Experiments and Computer Calculations from Threshold to Mev Energies / Ed. W. Eckstein. Berlin: Springer, 2007.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Никоненко В. А. Математическое моделирование технологических процессов / Под ред. Г.Р.Кузнецова.- М.: Изд-во МИСиС, 2001.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Никоненко В. А. Математическое моделирование технологических процессов / Под ред. Г.Р.Кузнецова.- М.: Изд-во МИСиС, 2001.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кошкин Н. И., Ширкевич М. Г. Справочник по элементарной физике. М.: Наука, 1980.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Кошкин Н. И., Ширкевич М. Г. Справочник по элементарной физике. М.: Наука, 1980.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ширяев С. А. и др. Получение и свойства композиционных покрытий на основе металл - углерод с нанокристаллической структурой // Журнал технической физики. 2002. Т. 72. Вып. 2. С. 99-100</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ширяев С. А. и др. Получение и свойства композиционных покрытий на основе металл - углерод с нанокристаллической структурой // Журнал технической физики. 2002. Т. 72. Вып. 2. С. 99-100</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
