izmertechИзмерительная техникаIzmeritel`naya Tekhnika0368-10252949-5237ФГУП "ВНИИФТРИ"izmertech-112Research ArticleНАНОМЕТРОЛОГИЯИзмерения толщины оксидной пленки на поверхности кремния электронно-зондовым методомГавриленкоВ. П.fgupnicpv@mail.ruКузинА. Ю.fgupnicpv@mail.ruМитюхляевВ. Б.fgupnicpv@mail.ruСтеповичМ. А.m.stepovich@mail.ruТодуаП. А.fgupnicpv@mail.ruФилипповМ. Н.fil@igic.ras.ruНаучно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуумаRussian FederationКалужский государственный университет им. К.Э. Циолковского»Russian FederationИнститут общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова РАНRussian Federation201507022023091316Copyright © ФГУП "ВНИИФТРИ", 20232023ФГУП "ВНИИФТРИ"ФГУП "ВНИИФТРИ"https://www.izmt.ru/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.izmt.ru/jour/article/view/112

Предложен электронно-зондовый способ измерений толщины оксидной пленки на поверхности кремния. Дана оценка диапазона измерений, латерального разрешения способа и погрешности измерений.

The electron probe X-ray microanalysis method of measuring the thickness of oxide layer on silicon surface is proposed. The measurement range, lateral resolution and measurement errors of this method are estimated.

оксидная пленкатолщинаэлектронно-зондовый методoxide layerthicknesselectron probe X-ray microanalysis methodReferencesШвец В. А., Спесивцев Е. В., Рыхлицкий С. В., Михайлов Н. Н. Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 3-4. С. 72-84.Швец В. А., Спесивцев Е. В., Рыхлицкий С. В., Михайлов Н. Н. Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 3-4. С. 72-84.Гавриленко В. П., Кузин А. А., Кузин А. Ю., Кузьмин А. А., Митюхляев В. Б., Раков А. В., Тодуа П. А., Филиппов М. Н. Измерение толщины окисла на рельефной шаговой структуре на подложке из монокристаллического кремния // Микроэлектроника. 1013. Т. 42. № 2. С. 131-133.Гавриленко В. П., Кузин А. А., Кузин А. Ю., Кузьмин А. А., Митюхляев В. Б., Раков А. В., Тодуа П. А., Филиппов М. Н. Измерение толщины окисла на рельефной шаговой структуре на подложке из монокристаллического кремния // Микроэлектроника. 1013. Т. 42. № 2. С. 131-133.Philibert J., Tixier R. Electron probe microanalysis of transmission electron microscope specimens: in Physical Aspects of Electron Microscopy and Microbeam Analysis // B. Siegel and D. R. Beaman, eds. Wiley. New York. 1975. P. 333-354.Philibert J., Tixier R. Electron probe microanalysis of transmission electron microscope specimens: in Physical Aspects of Electron Microscopy and Microbeam Analysis // B. Siegel and D. R. Beaman, eds. Wiley. New York. 1975. P. 333-354.Блохин М. А., Швейцер И. Г. Рентгеноспектральный справочник. М.: Наука, 1982.Блохин М. А., Швейцер И. Г. Рентгеноспектральный справочник. М.: Наука, 1982.Bethe H. Zur Theorie des Durchgangs schneller Korpuskularstrahlen durch Materie // Annalen der Physik. 1930. Bd. 397. №. 3. С. 325-400.Bethe H. Zur Theorie des Durchgangs schneller Korpuskularstrahlen durch Materie // Annalen der Physik. 1930. Bd. 397. №. 3. С. 325-400.Kanaya K., Okayama S. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1972. Vol. 5. P.43-58.Kanaya K., Okayama S. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1972. Vol. 5. P.43-58.Echlin P., Fiori C. E., Goldstein J., Joy D. C., Newbury D. E. Advanced scanning electron microscopy and X-ray microanalysis. Springer Science & Business Media, 2013.Echlin P., Fiori C. E., Goldstein J., Joy D. C., Newbury D. E. Advanced scanning electron microscopy and X-ray microanalysis. Springer Science & Business Media, 2013.Рау Э. И., Дицман С. А., Зайцев С. В., Лермонтов Н. В., Лукьянов А. Е., Купренко С. Ю. Анализ формул для расчета основных характеристик отраженных электронов и сравнение с экспериментальными результатами // Известия РАН. Серия физическая. 2013. Т. 77. № 8. С. 1050-1058.Рау Э. И., Дицман С. А., Зайцев С. В., Лермонтов Н. В., Лукьянов А. Е., Купренко С. Ю. Анализ формул для расчета основных характеристик отраженных электронов и сравнение с экспериментальными результатами // Известия РАН. Серия физическая. 2013. Т. 77. № 8. С. 1050-1058.Reuter W. The ionization function and its application to the electron probe analysis of thin films //Proceedings 6th International Congress on X-ray Optics and Microanalysis. Tokyo. 1972. P. 121-130.Reuter W. The ionization function and its application to the electron probe analysis of thin films //Proceedings 6th International Congress on X-ray Optics and Microanalysis. Tokyo. 1972. P. 121-130.Reimer L. Scanning electron microscopy. Physics of image formation and microanalysis. 2nd Edition. Berlin, N.Y., Heidelberg: Springer, 1998.Reimer L. Scanning electron microscopy. Physics of image formation and microanalysis. 2nd Edition. Berlin, N.Y., Heidelberg: Springer, 1998.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.