izmertechИзмерительная техникаIzmeritel`naya Tekhnika0368-10252949-5237ФГУП "ВНИИФТРИ"izmertech-1004Research ArticleRYMMA.SERGIYENKO@METROLOGY.KHARKOV.UAИсследование свойств высокочувствительных термостабильных тонкоплёночных тензорезисторов для интегральных датчиков давленияВолоховИ. В.teslananoel@rambler.ruГуринС. А.noemail@neicon.ruВергазовИ. Р.noemail@neicon.ruНаучно-исследовательский институт физических измеренийRussian Federation201607022023015560Copyright © Волохов И.В., Гурин С.А., Вергазов И.Р., 20232023Волохов И.В., Гурин С.А., Вергазов И.Р.Волохов И.В., Гурин С.А., Вергазов И.Р.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.izmt.ru/jour/article/view/1004

Рассмотрены принцип работы и основные причины нестабильности тензометрических датчиков давления, работающих в жестких условиях эксплуатации. Предложены новые конструктивно-технологические решения по созданию высокочувствительных термостабильных тензорезисторов с применением новых материалов. Представлены технологические методы повышения стабильности параметров чувствительных элементов указанных датчиков.

This principle of operation and major causes of instability of tensometric thin-film strain gauge pressure sensors, operating hard service conditions, have been considered. The new design solutions of high sensitivity thermostable strain gauges with application of new materials are suggested. The new technology methods for increase of thin-film strain gauge pressure sensors parameters are presented.

тонкоплёночные тензорезисторытермостабильностьчувствительностьтехнология изготовлениянестационарные температурыthin-filmed resistance strain gaugesthermostabilitystrain sensivityproduction technologytransient heatReferencesВолохов И. В. Технологические методы повышения надежности тонкоплёночных тензорезисторных датчиков давления // Сборник докладов науч.-техн. конф. «Актуальные проблемы ракетно-космического приборостроения и информационных технологий». М.: Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения, 2007 г.Волохов И. В. Технологические методы повышения надежности тонкоплёночных тензорезисторных датчиков давления // Сборник докладов науч.-техн. конф. «Актуальные проблемы ракетно-космического приборостроения и информационных технологий». М.: Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения, 2007 г.Аверин И. А., Волохов И. В., Мокров Е. А., Печерская Р. М. Влияние переходных процессов в тонкоплёночной гетерогенной структуре на надежность чувствительных элементов тензорезисторных датчиков давления // Известия вузов. Поволжский регион. Технические науки. 2008. № 2. С. 123-127.Аверин И. А., Волохов И. В., Мокров Е. А., Печерская Р. М. Влияние переходных процессов в тонкоплёночной гетерогенной структуре на надежность чувствительных элементов тензорезисторных датчиков давления // Известия вузов. Поволжский регион. Технические науки. 2008. № 2. С. 123-127.Лугин А. Н. Влияние термомеханических воздействий на температурную и временную стабильность сопротивления прецизионных тонкоплёночных резисторов // Электронная промышленность. 1995. № 1. С. 57-60.Лугин А. Н. Влияние термомеханических воздействий на температурную и временную стабильность сопротивления прецизионных тонкоплёночных резисторов // Электронная промышленность. 1995. № 1. С. 57-60.Розенблат М. А. Микротроника - новое направление развития датчиков и исполнительных устройств // Приборы и системы управления. 1996. № 12. С. 49-57.Розенблат М. А. Микротроника - новое направление развития датчиков и исполнительных устройств // Приборы и системы управления. 1996. № 12. С. 49-57.Тихоненков В. А., Мишин В. А., Тихонов А. И. Технология производства металлоплёночных датчиков механических величин. Учебное пособие для вузов / Ульяновск, Ульяновский гос. тех. ун-т, 2003.Тихоненков В. А., Мишин В. А., Тихонов А. И. Технология производства металлоплёночных датчиков механических величин. Учебное пособие для вузов / Ульяновск, Ульяновский гос. тех. ун-т, 2003.Корляков А. В. Ростовые фазовые политипные превращения при эпитаксии карбида кремния и нитрида алюминия: Автореф. дисс. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Л.: ЛЭТИ, 1989.Корляков А. В. Ростовые фазовые политипные превращения при эпитаксии карбида кремния и нитрида алюминия: Автореф. дисс. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Л.: ЛЭТИ, 1989.Гурин С. А., Печерская Р. М. Особенности технологии получения структуры «нитрид алюминия на карбиде кремния» для чувствительного элемента // Известия вузов. Поволжский регион. Технические науки. 2014. № 1. С. 46-53.Гурин С. А., Печерская Р. М. Особенности технологии получения структуры «нитрид алюминия на карбиде кремния» для чувствительного элемента // Известия вузов. Поволжский регион. Технические науки. 2014. № 1. С. 46-53.Мокров Е. А., Белозубов Е. М., Тихомиров Д. В. Минимизация погрешности тонкоплёночных тензорезисторных датчиков давления при воздействии нестационарной температуры // Датчики и системы. № 1. 2004. С. 26-29.Мокров Е. А., Белозубов Е. М., Тихомиров Д. В. Минимизация погрешности тонкоплёночных тензорезисторных датчиков давления при воздействии нестационарной температуры // Датчики и системы. № 1. 2004. С. 26-29.Пат. № 1615578 РФ. Датчик давления / Е.М. Белозубов // Изобретения. 1994. Бюл. №17.Пат. № 1615578 РФ. Датчик давления / Е.М. Белозубов // Изобретения. 1994. Бюл. №17.Мокров Е. А., Волохов И. В., Герасимов О. Н., Крысин Ю. М. Проектирование датчиков на основе тонкоплёночных технологий. Учебное пособие // Пенза : Информ.-изд. центр Пензенского гос. ун-та. 2007. С. 79.Мокров Е. А., Волохов И. В., Герасимов О. Н., Крысин Ю. М. Проектирование датчиков на основе тонкоплёночных технологий. Учебное пособие // Пенза : Информ.-изд. центр Пензенского гос. ун-та. 2007. С. 79.Волохов И. В. Технологические методики повышения стабильности параметров тонкоплёночных тензорезисторных датчиков давления: Автореф. дисс. на соиск. уч. степ. канд. тех. наук. П.: Информ.-изд. центр Пензенского гос. ун-та. 2008. П. 2008.Волохов И. В. Технологические методики повышения стабильности параметров тонкоплёночных тензорезисторных датчиков давления: Автореф. дисс. на соиск. уч. степ. канд. тех. наук. П.: Информ.-изд. центр Пензенского гос. ун-та. 2008. П. 2008.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.